[發明專利]一種高密度微納線圈柔性異質集成方法有效
| 申請號： | 202010188599.1 | 申請日： | 2020-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN111333022B | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發明（設計）人： | 何劍;丑修建;穆繼亮;侯曉娟;趙越芳;范雪明;張寧;李春成;陳亮;薛峰;趙浚東 | 申請（專利權）人： | 中北大學 |
| 主分類號： | B81B7/02 | 分類號： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海百一領御專利代理事務所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 姜伯炎;楊孟娟 |
| 地址： | 030051 山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高密度 線圈 柔性 集成 方法 | ||
1.一種高密度MEMS微納線圈柔性異質集成方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
準備剛性基底并進行清洗；
在上述剛性基底上通過薄膜生長工藝生長一層剝離層；
在上述剝離層上沉積多層MEMS微納線圈，上述相鄰層的MEMS微納線圈之間沉積一薄膜隔離層，其中，將上述多層MEMS微納線圈互連，并在最頂層沉積薄膜絕緣層；
在上述薄膜絕緣層上沉積一薄膜種子層，再電鍍一金屬應力層；調節上述金屬應力層的厚度以控制其應力，從而將MEMS微納線圈自上述剝離層處剝離；
將剝離下來的上述MEMS微納線圈與柔性基底進行集成；
依次將上述金屬應力層、薄膜種子層去除；
在上述薄膜絕緣層上電極焊盤對應位置開孔，露出電極焊盤；
通過所述電極焊盤，將多層MEMS微納線圈的中心進行互連；
將多個多層MEMS微納線圈互連后的柔性基底進行折疊；
所述剛性基底包括硅片或玻璃；
所述剝離層包括SiO2薄膜、parylene（派瑞林）或PI（聚酰亞胺）中的一種或多種；
所述薄膜隔離層包括SiO2或Si3N4薄膜中的一種或多種；
所述薄膜絕緣層包括SiO2或Si3N4薄膜中的一種或多種；
所述薄膜種子層包括Cr薄膜和Au薄膜；
所述金屬應力層包括Ni薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過光刻、顯影、剝離工藝，利用真空濺射方法在上述剝離層上沉積目標尺寸和層數的上述MEMS微納線圈。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法/干法腐蝕工藝將金屬應力層、薄膜種子層去除，亦采用濕法/干法腐蝕工藝在上述薄膜絕緣層上電極焊盤對應位置開孔，露出電極焊盤。
4.根據權利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，通過引線焊接或通過金屬層圖形化的方法，將多層MEMS微納線圈進行互連。
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