[發(fā)明專利]基于襯底SiON波導鍵合實現(xiàn)模斑轉換的方法及模斑轉換器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010187478.5 | 申請日： | 2020-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN111239899B | 公開（公告）日： | 2022-08-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 胡志朋;邵斯竹;吳月;肖志雄;朱興國;馮俊波;郭進 | 申請（專利權）人： | 聯(lián)合微電子中心有限責任公司 |
| 主分類號： | G02B6/14 | 分類號： | G02B6/14;G02B6/13;G02B6/136;G02B6/122;G02B6/12 |
| 代理公司： | 重慶中之信知識產權代理事務所(普通合伙) 50213 | 代理人： | 霍維英 |
| 地址： | 400030 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 襯底 sion 波導 實現(xiàn) 轉換 方法 轉換器 | ||
1.基于襯底SiON波導鍵合實現(xiàn)模斑轉換的方法，其特征在于，包括如下步驟：
準備硅襯底和SOI晶圓，在所述硅襯底上制作第一凹槽；
制作SiO2下包層以填充所述第一凹槽；
在所述SiO2下包層內制作第二凹槽；
制作第一SiON波導層以填充所述第二凹槽，進行平坦化處理；
將所述SOI晶圓的頂層硅鍵合到所述硅襯底表面，并去除所述SOI晶圓的襯底硅層和埋氧層；
刻蝕所述頂層硅，形成所述第一SiON波導層上的硅波導；
在所述第一SiON波導層上制作第二SiON波導層以形成SiON波導；
制作SiO2上包層以包覆所述SiON波導。
2.如權利要求1所述的基于襯底SiON波導鍵合實現(xiàn)模斑轉換的方法，其特征在于，所述制作SiO2下包層以填充所述第一凹槽，具體包括：在所述硅襯底上生長SiO2材料以填充所述第一凹槽，并進行平坦化處理，形成SiO2下包層。
3.如權利要求1所述的基于襯底SiON波導鍵合實現(xiàn)模斑轉換的方法，其特征在于，所述制作第一SiON波導層以填充所述第二凹槽，具體包括：在所述硅襯底上生長SiON材料以填充所述第二凹槽，并進行平坦化處理，形成第一SiON波導層。
4.如權利要求1所述的基于襯底SiON波導鍵合實現(xiàn)模斑轉換的方法，其特征在于，在所述第一SiON波導層上制作第二SiON波導層以形成SiON波導，具體包括：在所述硅襯底、SiO2下包層、第一SiON波導層和硅波導的表面生長第二SiON波導層，并進行平坦化處理；刻蝕所述第二SiON波導層以形成SiON波導。
5.如權利要求1所述的基于襯底SiON波導鍵合實現(xiàn)模斑轉換的方法，其特征在于，所述硅波導為寬度漸變的倒錐形結構。
6.如權利要求1所述的基于襯底SiON波導鍵合實現(xiàn)模斑轉換的方法，其特征在于，所述硅波導位于所述SiON波導的中心位置。
7.如權利要求1-6任一項所述的基于襯底SiON波導鍵合實現(xiàn)模斑轉換的方法，其特征在于，所述平坦化處理的方式包括化學機械研磨處理。
8.模斑轉換器，其特征在于，根據權利要求1-7任一項所述的基于襯底SiON波導鍵合實現(xiàn)模斑轉換的方法制得。
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