[發明專利]波長轉換的半導體發光器件

在審

• 申請號: 202010186790.2
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN111509112A
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: A.D.施里克;O.B.什徹金;H.H.蔡;P.J.施米德特
• 申請（專利權）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/60;H01L25/075;H01L27/15
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐旭;陳嵐

1.一種波長轉換器，包括：

波長轉換陶瓷層，其被配置成將第一波長的光轉換成更長第二波長的光；和

波長轉換玻璃層，其設置在所述波長轉換陶瓷層上且被配置成將所述第一波長的光轉換成與所述第二波長不同的更長第三波長的光；

其中所述波長轉換陶瓷層和所述波長轉換玻璃層之間的界面被粗糙化。

2.如權利要求1所述的波長轉換器，其中所述第二波長是紅，并且所述第三波長是綠。

3.如權利要求1所述的波長轉換器，其中所述波長轉換陶瓷層和所述波長轉換玻璃層具有成角的側壁。

4.如權利要求1所述的波長轉換器，其中：

所述波長轉換陶瓷層和所述波長轉換玻璃層形成波長轉換構件；

所述波長轉換構件的第一部分具有基本上豎直的側壁；并且

所述波長轉換構件的第二部分具有成角的側壁。

5. 一種發光器件，包括：

包括發光層的半導體結構，所述發光層設置在n型區與p型區之間且被配置成發射第一波長的光；以及

設置在由所述發光層發射的光的路徑中的如權利要求1所述的波長轉換器。

6.如權利要求5所述的發光器件，其中所述波長轉換陶瓷層設置在所述波長轉換玻璃層和所述半導體結構之間。

7.根據權利要求6所述的發光器件，還包括反射材料，其中所述反射材料設置為與所述波長轉換陶瓷層的側壁、所述波長轉換玻璃層的側壁、以及所述半導體結構的側壁中的每一個相鄰。

8. 一種形成波長轉換元件的方法，包括：

提供具有粗糙化的表面的波長轉換陶瓷層；以及

在所述波長轉換陶瓷層的粗糙化的表面上設置波長轉換玻璃層以形成所述波長轉換元件。

9.如權利要求8所述的方法，包括通過燒結磷光體粉末形成所述波長轉換陶瓷層。

10.如權利要求8所述的方法，還包括在所述波長轉換陶瓷層的粗糙化的表面上設置所述波長轉換玻璃層之前，薄化所述波長轉換陶瓷層。

11.如權利要求8所述的方法，還包括在所述波長轉換玻璃層的粗糙化的表面上設置所述波長轉換玻璃層之后，薄化所述波長轉換陶瓷層。

12. 如權利要求8所述的方法，包括：

將所述波長轉換元件切分為多個小板；以及

在所述切分之后，將小板附接至半導體發光器件。

13.如權利要求12所述的方法，其中將所述波長轉換元件切分為多個小板包括在每個小板上形成成角的側壁。

14. 根據權利要求12所述的方法，其中將所述波長轉換元件切分為多個小板包括：

在每個小板的第一部分上形成具有相對于所述小板的頂表面的第一角度的側壁；以及

在每個小板的第二部分上形成具有相對于所述小板的頂表面的第二角度的側壁；

其中所述第一角度不同于所述第二角度。

15.如權利要求12所述的方法，包括：

將多個半導體發光器件附接至底座；

在所述切分之后，將小板附接至所述多個半導體發光器件中的每個半導體發光器件；以及

在所述多個半導體發光器件中鄰近的半導體發光器件之間設置反射材料。

16.如權利要求15所述的方法，還包括在鄰近的半導體發光器件之間設置所述反射材料之后，薄化所述反射材料。