[發明專利]功率半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010186779.6
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111725151A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 市川慶太郎;鹿野武敏;四個所裕二;河原史倫
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種功率半導體裝置，其具有：

封裝體，其封裝有在引線框之上搭載的半導體元件；

多個端子，它們從所述封裝體的側面露出、彎曲；以及

端子彎曲部，其是所述端子的彎曲部分，寬度大于所述端子的前端寬度且小于或等于與所述封裝體相接的所述端子的寬度。

2.根據權利要求1所述的功率半導體裝置，其中，

相鄰的所述端子的所述端子彎曲部間的空間絕緣距離大于與所述封裝體相接的所述端子的空間絕緣距離。

3.根據權利要求1或2所述的功率半導體裝置，其中，

在所述端子的所述端子彎曲部的封裝體側，在相鄰的所述端子的側向具有凹部，所述凹部所在的所述端子的寬度大于所述端子的前端寬度且小于與所述封裝體相接的端子的寬度。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的功率半導體裝置，其中，

在所述端子的所述端子彎曲部設置有進行了壓印加工處理后的槽。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的功率半導體裝置，其中，

隔著所述封裝體而相對的所述端子彼此的厚度相互不同。

6.一種功率半導體裝置的制造方法，其具有以下工序：

針對封裝后的具有引線框的封裝體，以使得端子中的從所述封裝體露出的第2部分的寬度小于與所述封裝體相接的所述端子的第1部分的寬度的方式，由連接桿切割模具對所述引線框的連接桿進行切割、去除；

由鍍敷裝置對所述端子進行鍍敷；

由引線切割模具對所述引線框的引線進行切割、去除；以及

由引線成形模具使所述端子的所述第2部分彎曲。