[發明專利]在多站中的晶片彎曲度的控制

有效

• 申請號: 202010186094.1
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN111508810B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 愛德華·奧古斯蒂尼克;大衛·弗倫希;蘇尼爾·卡普爾;崎山幸則;喬治·托馬斯
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

1.一種用于輸送功率到多個等離子體處理站的功率分配器，該功率分配器包括：

耦合到低頻阻抗匹配網絡并且被配置為提供多個低頻RF信號的低頻電路，其中所述低頻電路包括多個直流(DC)阻隔電容器；

耦合到高頻阻抗匹配網絡并且被配置為提供多個高頻RF信號的高頻電路，其中所述高頻電路耦合到所述低頻電路；

耦合到所述高頻電路和多個等離子體處理站的輸出電路，其中所述輸出電路被配置為組合所述多個低頻RF信號和所述多個高頻RF信號以提供多個組合的RF信號給所述多個等離子體處理站；以及

多個并聯電感器，其中所述多個并聯電感器中的每一個耦合在所述低頻電路的輸入端與所述低頻電路的所述多個直流(DC)阻隔電容器的相應的一個之間的一點處，以控制到所述多個等離子體處理站的相應的一個的電流量。

2.根據權利要求1所述的功率分配器，其中所述多個并聯電感器中的每一個是可變電感器或固定電感器。

3.一種用于輸送功率到多個等離子體處理站的功率分配器，該功率分配器包括：

耦合到低頻阻抗匹配網絡并且被配置為提供多個低頻RF信號的低頻電路，其中所述低頻電路包括多個直流(DC)阻隔電容器和多個電感器；

耦合到高頻阻抗匹配網絡并且被配置為提供多個高頻RF信號的高頻電路，其中所述高頻電路耦合到所述低頻電路；

耦合到所述高頻電路和多個等離子體處理站的輸出電路，其中所述輸出電路被配置為組合所述多個低頻RF信號和所述多個高頻RF信號以提供多個組合的RF信號給所述多個等離子體處理站；以及

多個并聯電感器，其中所述多個并聯電感器中的每一個耦合在所述低頻電路的所述多個直流(DC)阻隔電容器的相應的一個和所述低頻電路的所述多個電感器的相應的一個之間的一點處，以控制到所述多個等離子體處理站的相應的一個的電流量。

4.根據權利要求3所述的功率分配器，其中所述多個并聯電感器中的每一個是可變電感器或固定電感器。

5.一種功率分配器，其包括：

多個低頻路徑，所述多個低頻路徑被配置為接收低頻經修改的射頻(RF)信號以輸出多個低頻RF信號；

多個高頻路徑，所述多個高頻路徑被配置為接收高頻經修改的RF信號以輸出多個高頻RF信號，其中所述多個高頻路徑中的每一個耦合至所述多個低頻路徑中的相應的一個；

多個輸出路徑，所述多個輸出路徑被配置為組合所述多個低頻RF信號和所述多個高頻RF信號，以將多個組合的信號輸出到多個等離子體處理站，其中所述多個輸出路徑中的每一個耦合到所述多個低頻路徑中的所述相應的一個與所述多個高頻路徑中的相應的一個；和

多個并聯電感器，所述多個并聯電感器被配置為控制提供給所述多個等離子體處理站的多個電流量，其中所述多個并聯電感器中的每一個耦合到所述多個低頻路徑中的所述相應的一個。

6.根據權利要求5所述的功率分配器，其中所述多個低頻路徑中的每一個包括高頻阻隔電路的第一電感器和第二電感器，其中所述第一電感器在一點處耦合到所述第二電感器，其中所述多個并聯電感器中的每一個耦合到所述多個低頻路徑中的相應的一個的所述點處以及耦合到接地連接。

7.根據權利要求6所述的功率分配器，其中所述點耦合到電容器，其中所述多個并聯電感器中的每一個并聯耦合到所述多個低頻路徑中的相應的一個的電容器。

8.根據權利要求5所述的功率分配器，其中所述多個低頻路徑中的每一個包括電容器、第一電感器、第二電感器和一個點，其中所述點在所述電容器和所述第一電感器之間，其中所述電容器耦合到所述第一電感器并且所述第一電感器耦合到所述第二電感器，其中所述點耦合到可變電容器和所述多個并聯電感器中的相應的一個。