[發(fā)明專利]在多站中的晶片彎曲度的控制

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010186094.1
• 申請(qǐng)日: 2017-07-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111508810B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 愛(ài)德華·奧古斯蒂尼克;大衛(wèi)·弗倫希;蘇尼爾·卡普爾;崎山幸則;喬治·托馬斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;張靜

1.一種用于輸送功率到多個(gè)等離子體處理站的功率分配器，該功率分配器包括：

耦合到低頻阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)并且被配置為提供多個(gè)低頻RF信號(hào)的低頻電路，其中所述低頻電路包括多個(gè)直流(DC)阻隔電容器；

耦合到高頻阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)并且被配置為提供多個(gè)高頻RF信號(hào)的高頻電路，其中所述高頻電路耦合到所述低頻電路；

耦合到所述高頻電路和多個(gè)等離子體處理站的輸出電路，其中所述輸出電路被配置為組合所述多個(gè)低頻RF信號(hào)和所述多個(gè)高頻RF信號(hào)以提供多個(gè)組合的RF信號(hào)給所述多個(gè)等離子體處理站；以及

多個(gè)并聯(lián)電感器，其中所述多個(gè)并聯(lián)電感器中的每一個(gè)耦合在所述低頻電路的輸入端與所述低頻電路的所述多個(gè)直流(DC)阻隔電容器的相應(yīng)的一個(gè)之間的一點(diǎn)處，以控制到所述多個(gè)等離子體處理站的相應(yīng)的一個(gè)的電流量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率分配器，其中所述多個(gè)并聯(lián)電感器中的每一個(gè)是可變電感器或固定電感器。

3.一種用于輸送功率到多個(gè)等離子體處理站的功率分配器，該功率分配器包括：

耦合到低頻阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)并且被配置為提供多個(gè)低頻RF信號(hào)的低頻電路，其中所述低頻電路包括多個(gè)直流(DC)阻隔電容器和多個(gè)電感器；

耦合到高頻阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)并且被配置為提供多個(gè)高頻RF信號(hào)的高頻電路，其中所述高頻電路耦合到所述低頻電路；

耦合到所述高頻電路和多個(gè)等離子體處理站的輸出電路，其中所述輸出電路被配置為組合所述多個(gè)低頻RF信號(hào)和所述多個(gè)高頻RF信號(hào)以提供多個(gè)組合的RF信號(hào)給所述多個(gè)等離子體處理站；以及

多個(gè)并聯(lián)電感器，其中所述多個(gè)并聯(lián)電感器中的每一個(gè)耦合在所述低頻電路的所述多個(gè)直流(DC)阻隔電容器的相應(yīng)的一個(gè)和所述低頻電路的所述多個(gè)電感器的相應(yīng)的一個(gè)之間的一點(diǎn)處，以控制到所述多個(gè)等離子體處理站的相應(yīng)的一個(gè)的電流量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率分配器，其中所述多個(gè)并聯(lián)電感器中的每一個(gè)是可變電感器或固定電感器。

5.一種功率分配器，其包括：

多個(gè)低頻路徑，所述多個(gè)低頻路徑被配置為接收低頻經(jīng)修改的射頻(RF)信號(hào)以輸出多個(gè)低頻RF信號(hào)；

多個(gè)高頻路徑，所述多個(gè)高頻路徑被配置為接收高頻經(jīng)修改的RF信號(hào)以輸出多個(gè)高頻RF信號(hào)，其中所述多個(gè)高頻路徑中的每一個(gè)耦合至所述多個(gè)低頻路徑中的相應(yīng)的一個(gè)；

多個(gè)輸出路徑，所述多個(gè)輸出路徑被配置為組合所述多個(gè)低頻RF信號(hào)和所述多個(gè)高頻RF信號(hào)，以將多個(gè)組合的信號(hào)輸出到多個(gè)等離子體處理站，其中所述多個(gè)輸出路徑中的每一個(gè)耦合到所述多個(gè)低頻路徑中的所述相應(yīng)的一個(gè)與所述多個(gè)高頻路徑中的相應(yīng)的一個(gè)；和

多個(gè)并聯(lián)電感器，所述多個(gè)并聯(lián)電感器被配置為控制提供給所述多個(gè)等離子體處理站的多個(gè)電流量，其中所述多個(gè)并聯(lián)電感器中的每一個(gè)耦合到所述多個(gè)低頻路徑中的所述相應(yīng)的一個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率分配器，其中所述多個(gè)低頻路徑中的每一個(gè)包括高頻阻隔電路的第一電感器和第二電感器，其中所述第一電感器在一點(diǎn)處耦合到所述第二電感器，其中所述多個(gè)并聯(lián)電感器中的每一個(gè)耦合到所述多個(gè)低頻路徑中的相應(yīng)的一個(gè)的所述點(diǎn)處以及耦合到接地連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率分配器，其中所述點(diǎn)耦合到電容器，其中所述多個(gè)并聯(lián)電感器中的每一個(gè)并聯(lián)耦合到所述多個(gè)低頻路徑中的相應(yīng)的一個(gè)的電容器。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率分配器，其中所述多個(gè)低頻路徑中的每一個(gè)包括電容器、第一電感器、第二電感器和一個(gè)點(diǎn)，其中所述點(diǎn)在所述電容器和所述第一電感器之間，其中所述電容器耦合到所述第一電感器并且所述第一電感器耦合到所述第二電感器，其中所述點(diǎn)耦合到可變電容器和所述多個(gè)并聯(lián)電感器中的相應(yīng)的一個(gè)。