[發明專利]一種微透鏡、微透鏡陣列及制備方法

在審

• 申請號: 202010186044.3
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN113406733A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 施立甫;鐘海政;李建軍;柏澤龍;王晶晶
• 申請（專利權）人: 致晶科技（北京）有限公司;北京理工大學
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00
• 代理公司: 北京元周律知識產權代理有限公司 11540
• 代理人: 張梅娟

1.一種微透鏡，其特征在于，所述微透鏡中含有聚合物和鈣鈦礦納米晶，所述鈣鈦礦納米晶分散在所述聚合物中。

2.根據權利要求1所述的微透鏡，其特征在于，所述鈣鈦礦納米晶的化學式為ABX₃、A₃B₂X₉、A₂BX₆中的至少一種；

優選地，所述鈣鈦礦納米晶在所述微透鏡中的含量為1wt％～90wt％；

優選地，所述A選自CH₃NH₃、CH(NH)NH₃、Cs中的至少一種；

優選地，所述B選自Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Mn、In、Ti、Ag、Al中的至少一種；

優選地，所述X選自鹵素元素中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的微透鏡，其特征在于，所述聚合物選自聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、醋酸纖維素、聚砜、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、ABS塑料、聚丙烯腈、聚烯烴彈性體、聚氨酯、聚乙烯咔唑中的至少一種。

4.一種微透鏡陣列，其特征在于，所述微透鏡陣列包括基底和多個微透鏡；

所述多個微透鏡陣列式分布在所述基底的表面；

所述微透鏡選自權利要求1-3中任一項所述微透鏡中任一種。

5.根據權利要求4所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述基底選自半導體基底、半導體器件、發光器件中的任意一種；

優選地，所述基底為玻璃、石英、硅、SOI器件、互補金屬氧化物半導體器件、電荷耦合器件、探測器陣列器件、LED、MicroLED顯示面板、MiniLED顯示面板中的任意一種。

6.根據權利要求4所述的微透鏡陣列，其特征在于，所述基底為權利要求1-3任一項所述的微透鏡中的任意一種。

7.權利要求4-6任一項所述微透鏡陣列的制備方法，其特征在于，所述方法至少包括：

S001、獲得至少一種包含鈣鈦礦納米晶前驅體和聚合物源的溶液；

S002、將所述溶液按照所需陣列位置轉移到基底上，按照預設方式處理所述溶液，使得鈣鈦礦納米晶前驅體原位生成鈣鈦礦納米晶，形成微透鏡陣列。

8.根據權利要求7所述的微透鏡陣列的制備方法，其特征在于，在步驟S001，所述鈣鈦礦納米晶前驅體包含物質a和物質b；

所述物質a選自具有式Ⅰ的化合物中的任一種；

AX 式Ⅰ

所述物質b選自具有式Ⅱ或式Ⅲ的化合物中的任一種；

BX₂ 式Ⅱ

BX₃ 式Ⅲ

所述A選自CH₃NH₃、CH(NH)NH₃、Cs中的任一種；

所述B選自Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Mn、In、Ti、Ag、Al中的任一種；

所述X選自鹵素元素中的任一種。