[發(fā)明專(zhuān)利]檢查用基板和檢查方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010185530.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111745313A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 古田健次 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B23K26/70 | 分類(lèi)號(hào): | B23K26/70 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢查 用基板 方法 | ||
提供檢查用基板和檢查方法,用于對(duì)激光束的漏光進(jìn)行檢查,以便定量地評(píng)價(jià)漏光所到達(dá)的區(qū)域。該檢查用基板用于對(duì)激光束的漏光進(jìn)行檢查,其中,該檢查用基板具有:供具有透過(guò)檢查用基板的波長(zhǎng)的激光束照射的一個(gè)面;與一個(gè)面相反的一側(cè)的另一個(gè)面;設(shè)置于另一個(gè)面上的間隔道;多條第1檢查用布線,它們?cè)诹硪粋€(gè)面上分別沿著間隔道配置于距離間隔道不同的距離處;以及多個(gè)第1電極墊,它們?cè)诹硪粋€(gè)面上在多條第1檢查用布線上分別設(shè)置兩個(gè)以上,并在多條第1檢查用布線上分別在沿著間隔道的方向上分開(kāi)而配置。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于對(duì)利用激光束來(lái)加工被加工物時(shí)所產(chǎn)生的激光束的漏光進(jìn)行檢查的檢查用基板以及使用該檢查用基板對(duì)激光束的漏光進(jìn)行檢查的檢查方法。
背景技術(shù)
已知有在由呈格子狀配置的多條分割預(yù)定線(即間隔道)劃分的各區(qū)域內(nèi)形成有半導(dǎo)體器件的圓盤(pán)狀的晶片。為了將晶片沿著間隔道進(jìn)行分割而制造半導(dǎo)體芯片,例如使用激光加工裝置。
例如使用激光加工裝置按照將對(duì)于晶片具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的脈沖狀的激光束的聚光點(diǎn)定位于晶片的內(nèi)部的方式沿著晶片的正面?zhèn)鹊拈g隔道從晶片的背面?zhèn)日丈浼す馐?。由此,在聚光點(diǎn)附近產(chǎn)生多光子吸收,沿著間隔道形成機(jī)械強(qiáng)度降低的改質(zhì)層。然后,對(duì)晶片施加外力,從而以改質(zhì)層為起點(diǎn)而沿著間隔道將晶片分割。
在形成改質(zhì)層時(shí),通常在晶片的不同的深度位置形成多個(gè)改質(zhì)層。例如將聚光點(diǎn)的深度位置定位于晶片的正面?zhèn)鹊囊?guī)定的深度位置,沿著一條間隔道照射激光束。通過(guò)沿著間隔道進(jìn)行一次激光束照射(即第1通行的激光束的照射),從而形成第1層改質(zhì)層。
然后,在將聚光點(diǎn)的深度位置向背面?zhèn)纫苿?dòng)規(guī)定的距離之后,再次沿著相同的間隔道進(jìn)行一次激光束照射(即第2通行的激光束的照射),從而形成第2層改質(zhì)層。同樣地,反復(fù)進(jìn)行將聚光點(diǎn)的深度位置向背面?zhèn)纫苿?dòng)規(guī)定的距離以及激光束的照射,在晶片的內(nèi)部形成多個(gè)(例如2~5個(gè))改質(zhì)層。
在形成改質(zhì)層時(shí),激光束主要在被定位于規(guī)定的深度的聚光點(diǎn)處被晶片吸收,但有時(shí)激光束的一部分被位于比規(guī)定的深度位置靠正面?zhèn)鹊母馁|(zhì)層及從改質(zhì)層延伸的裂紋等折射或反射。
假如激光束的一部分被折射或反射而成為漏光(即,超過(guò)作為目標(biāo)的照射區(qū)域即間隔道而到達(dá)半導(dǎo)體器件的光)時(shí),有時(shí)漏光到達(dá)形成于由多條間隔道劃分的晶片的正面?zhèn)鹊母鲄^(qū)域的半導(dǎo)體器件。在該情況下,擔(dān)心半導(dǎo)體器件被漏光損傷。因此,需要按照漏光不到達(dá)半導(dǎo)體器件的方式選定激光束的照射條件(即激光加工條件)。
因此,已知有如下的方法:在晶片的正面?zhèn)刃纬捎慑a(Sn)或油性墨等形成的包覆層之后,從晶片的背面?zhèn)日丈浼す馐?,確認(rèn)到達(dá)晶片的正面?zhèn)鹊穆┕?例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2017-216413號(hào)公報(bào)
但是,在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的方法中,只不過(guò)能觀察到包覆層中的由于激光束的到達(dá)而變質(zhì)的區(qū)域,并不存在定量地評(píng)價(jià)漏光所到達(dá)的區(qū)域的方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于該問(wèn)題點(diǎn)而完成的,其目的在于提供檢查用基板,其用于對(duì)激光束的漏光進(jìn)行檢查,以便定量地評(píng)價(jià)漏光所到達(dá)的區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式,提供檢查用基板,其用于對(duì)激光束的漏光進(jìn)行檢查,其中,該檢查用基板具有:供具有透過(guò)該檢查用基板的波長(zhǎng)的該激光束照射的一個(gè)面;與該一個(gè)面相反的一側(cè)的另一個(gè)面;設(shè)定于該另一個(gè)面上的間隔道;多條第1檢查用布線,它們?cè)谠摿硪粋€(gè)面上分別沿著該間隔道配置于距離該間隔道不同的距離處;以及多個(gè)第1電極墊,它們?cè)谠摿硪粋€(gè)面上在該多條第1檢查用布線上分別設(shè)置兩個(gè)以上,并在該多條第1檢查用布線上分別在沿著該間隔道的方向上分開(kāi)而配置。優(yōu)選檢查用基板還具有多條第2檢查用布線,該多條第2檢查用布線在該另一個(gè)面上沿著該間隔道與該多條第1檢查用布線分開(kāi),并且分別沿著該間隔道配置于距離該間隔道不同的距離處。
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B23K 釬焊或脫焊;焊接;用釬焊或焊接方法包覆或鍍敷;局部加熱切割,如火焰切割;用激光束加工
B23K26-00 用激光束加工,例如焊接,切割,打孔
B23K26-02 .工件的定位和觀測(cè),如相對(duì)于沖擊點(diǎn),激光束的對(duì)正,瞄準(zhǔn)或聚焦
B23K26-08 .激光束與工件具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的裝置
B23K26-12 .在一特殊氣氛中,例如在罩中
B23K26-14 .利用流體,如氣體的射流,與激光束相結(jié)合
B23K26-16 .排除副產(chǎn)物,例如對(duì)工件處理時(shí)產(chǎn)生的微粒或蒸氣
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