[發明專利]一種臺區出口低電壓成因大數據分析方法及系統

有效

• 申請號: 202010184948.2
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111342454B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 安義;戚沁雅;歐陽文華;蒙天琪;馬亮;周求寬;王華云;李升健;鄭蜀江
• 申請（專利權）人: 國網江西省電力有限公司電力科學研究院;國家電網有限公司
• 主分類號: H02J3/00
• 分類號: H02J3/00;G01R31/08
• 代理公司: 南昌市平凡知識產權代理事務所 36122
• 代理人: 姚伯川

1.一種臺區出口低電壓成因大數據分析方法，其特征在于，所述方法利用臺區采集裝置采集供電出口側三相電壓、電流、有功電氣量，利用變電站母線電壓采集裝置采集三相或兩相母線電壓數據；對采集的數據進行預處理，并將時序數據存儲至后臺數據庫中，分成臺區運行數據表和母線電壓數據表；對采集到的臺區出口電壓數據及10kV母線電壓數據生成臺區出口低電壓事件及母線低電壓事件，并默認每次臺區出口低電壓事件的原因為10kV線路網架問題；利用臺區出口電壓數據和母線電壓數據自動分析臺區出口低電壓原因；

所述自動分析臺區出口低電壓原因分兩步進行：

第一步，初步分析臺區出口低電壓原因；

第二步，進一步分析臺區出口低電壓原因；

初步分析臺區出口低電壓原因如下：

(1)當低電壓事件發生時，若該日臺區采集點小于24點，則判定為臺區采集器采集問題，則將臺區出口低電壓事件中的dt_lowvlot_reason字段重新設置為“0”，表示臺區采集器采集問題，否則，進入步驟(2)；

(2)計算低電壓事件發生時每個采集點三相電壓平均值，事件發生時三相電壓平均值是否均大于198V，若是，則判定為臺區三相不平衡問題，則將臺區出口電壓低電壓事件的dt_lowvlot_reason字段重新設置為“1”，表示為臺區三相負荷不平衡問題，否則，進入步驟(3)；

(3)計算低電壓事件發生時，是否存在接觸不良、斷相缺陷問題，判定規則如子流程①、②、③所示，若是，則判定為臺區為斷相、接觸不良缺陷問題，則將臺區出口電壓低電壓事件的dt_lowvlot_reason字段重新設置“2”，表示臺區斷相、接觸不良缺陷問題，否則，進入第二步；

①若事件發生時間內某個采集點存在|u_a+u_b-u_c|50V且max(u_a,u_b,u_c)198V，則判斷為臺區為斷相、接觸不良缺陷問題，Yyn0配變缺陷為C相，Dyn11配變缺陷為A相；

②若事件發生時間內某個采集點存在|u_a+u_c-u_b|50V且max(u_a,u_b,u_c)198V，則判斷為臺區為斷相、接觸不良缺陷問題，Yyn0配變缺陷為B相，Dyn11配變缺陷為C相；

③若事件發生時間內某個采集點存在|u_c+u_b-u_a|50V且max(u_a,u_b,u_c)198V，則判斷為臺區為斷相、接觸不良缺陷問題，Yyn0配變缺陷為A相，Dyn11配變缺陷為B相；

其中：u_a、u_b、u_c為低電壓事件期間的臺區出口a、b、c三相出口電壓數據序列；

所述進一步分析臺區出口低電壓原因如下：

(1)以10kV線路為容器對臺區出口低電壓事件按日分組，尋找所有出口低電壓原因為10kV線路網架問題的臺區出口低電壓事件；每次事件出口低電壓時間內是否存在10kV母線低電壓事件，若存在則將該臺區該時刻出口低電壓事件原因判定為母線低電壓問題，該臺區出口低電壓事件的dt_lowvlot_reason字段重新設置為“4”，表示該臺區出口低電壓由母線低電壓問題引起；

(2)以10kV線路為容器對臺區出口低電壓事件按日分組，尋找所有臺區出口低電壓原因為斷相、接觸不良缺陷問題dt_lowvlot_reason字段值為“2”的事件，若存在2臺及以上臺區低電壓事件為斷相、接觸不良缺陷問題，則判定為10kV線路斷線、接觸不良缺陷問題，將所涉及的臺區出口低電壓事件dt_lowvlot_reason字重新設置為“5”，表示所涉及的臺區出口低電壓由10kV線路缺陷問題引起；

(3)以10kV線路為容器對臺區出口低電壓事件按日分組，再次尋找所有臺區出口低電壓原因為10kV線路網架問題dt_lowvlot_reason字段值為“6”的事件，若存在小于2臺的配變，則所涉及的臺區判定為配變檔位問題，將所涉及的臺區出口低電壓事件dt_lowvlot_reason字重新設置為“3”。