[發明專利]芯片式光電傳感器及手勢識別裝置

有效

• 申請號: 202010184927.0
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111511068B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 程翔;徐順
• 申請（專利權）人: 廈門中莘光電科技有限公司
• 主分類號: H05B45/30
• 分類號: H05B45/30
• 代理公司: 北京庚致知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11807
• 代理人: 韓德凱;李偉波

1.一種芯片式光電傳感器，其特征在于，包括：

紅光LED，所述紅光LED發射紅光光信號；

多個光電二極管陣列；所述光電二極管陣列接收部分地所述紅光光信號并將紅光光信號轉換為模擬電信號；以及

電路模塊，所述電路模塊對所述多個光電二極管陣列輸出的模擬電信號進行處理；

其中，每個所述光電二極管陣列由第一光電二極管以及第二光電二極管構成，所述第一光電二極管接收所述紅光光信號，所述第二光電二極管不接收所述紅光光信號；

其中，所述電路模塊包括：

帶隙基準電路，所述帶隙基準電路為所述芯片式光電傳感器提供電壓基準；

光電數據處理電路，所述光電數據處理電路將光電二極管陣列輸出的模擬電信號進行放大處理；

模擬數字轉換器，所述模擬數字轉換器將所述光電數據處理電路輸出的模擬電信號轉換為數字電信號；

數據寄存器，所述數據寄存器對所述模擬數字轉換器輸出的數字電信號進行存儲；

接口電路，通過所述接口電路，將所述數據寄存器存儲的數字電信號傳輸給所述芯片式光電傳感器之外的上位機；以及

控制寄存器，所述控制寄存器通過所述接口電路接收并存儲來自所述芯片式光電傳感器之外的上位機的控制信號，所述控制寄存器與模擬數字轉換器、光電數據處理電路和帶隙基準電路連接；

其中，所述帶隙基準電路包括：第一電阻器、第二電阻器、第三電阻器、第四電阻器、四輸入運算放大器、雙輸入運算放大器、第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第三雙極型晶體管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管；

所述第一MOS管的源極、第二MOS管的源極和第三MOS管的漏極連接且均與芯片工作電壓VDD連接；

所述第一MOS管的柵極與所述四輸入運算放大器的輸出端連接；

所述第二MOS管的柵極與所述第三MOS管的柵極以及第三MOS管的源極連接；

所述第二MOS管的柵極還與所述第四MOS管的漏極連接，所述第四MOS管的柵極與所述雙輸入運算放大器的輸出端連接；

所述第一MOS管的源極還與第一電阻器的第一端連接，所述第一電阻器的第二端分別與所述四輸入運算放大器的第一正相輸入端以及第二電阻器的第一端連接；

所述第二電阻器的第二端與所述第一雙極型晶體管的集電極連接，所述第一雙極型晶體管的基極與所述第二雙極型晶體管的基極連接；

所述第二雙極型晶體管的發射極與第三電阻器的第二端連接，所述第三電阻器的第一端與所述第一MOS管的漏極連接；

所述四輸入運算放大器的第一反相輸入端分別與所述第二MOS管的漏極以及第三雙極型晶體管的發射極連接；

所述第二雙極型晶體管的發射極還與所述四輸入運算放大器的第二正相輸入端、第二反相輸入端以及所述雙輸入運算放大器的正相輸入端連接；

所述雙輸入運算放大器的反相輸入端分別與所述第四MOS管的源極以及第四電阻器的第一端連接；

所述第一雙極型晶體管的發射極、基極，所述第二雙極型晶體管的集電極、基極，所述第三雙極型晶體管的集電極、基極，以及所述第四電阻器的第二端均接地。

2.根據權利要求1所述的芯片式光電傳感器，其特征在于，所述電路模塊還包括偏置電路、內部振蕩電路、上電復位電路以及LED驅動電路，所述帶隙基準電路與所述偏置電路連接，所述偏置電路與所述內部振蕩電路連接，所述內部振蕩電路與所述上電復位電路連接，所述上電復位電路與所述LED驅動電路連接，所述LED驅動電路驅動所述紅光LED進行發光。

3.根據權利要求1所述的芯片式光電傳感器，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管均為N溝道增強型MOS管；所述第四MOS管為P溝道增強型MOS管。