[發明專利]一種多介質檢測傳感器及其制作方法

在審

• 申請號: 202010184503.4
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111415993A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 陸叢研;盧年端;李泠;劉宇;王嘉瑋;耿玓;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/34;H01L31/113;H01L31/18
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種多介質檢測傳感器，其特征在于，包括：

襯底；

柵極，設置于所述襯底上表面；

有源層，覆蓋在所述襯底的上表面，在所述柵極與所述有源層之間形成腔體結構；其中，所述腔體結構用于容納氣體介質形成柵介質層，所述有源層為銦鎵鋅氧化物；

源極和漏極，間隔的覆蓋在所述有源層的兩側表面。

2.根據權利要求1所述的多介質檢測傳感器，其特征在于，所述銦鎵鋅氧化物的厚度小于500nm。

3.根據權利要求2所述的多介質檢測傳感器，其特征在于，所述銦鎵鋅氧化物的厚度為50-500nm。

4.根據權利要求1所述的多介質檢測傳感器，其特征在于，所述源極的一邊部和所述漏極的一邊部均延伸至所述襯底上表面。

5.根據權利要求1所述的多介質檢測傳感器，其特征在于，所述柵介質層的厚度為500nm-1000nm。

6.一種多介質檢測傳感器的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上方制作覆蓋柵極的犧牲層；

制作覆蓋在所述犧牲層上的有源層；其中，所述有源層為銦鎵鋅氧化物；

在所述有源層上表面的兩側分別制作源極和漏極；

刻蝕所述犧牲層，以去除所述犧牲層形成腔體結構的柵介質層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述制作覆蓋在所述犧牲層上的有源層，包括：

制作覆蓋在所述犧牲層上的厚度小于500nm的所述有源層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述制作覆蓋在所述犧牲層上的有源層，具體包括：

制作覆蓋在所述犧牲層上的厚度為50-500nm的所述有源層。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述有源層上表面的兩側分別制作源極和漏極，包括：

在所述有源層上表面的兩側分別制作延伸至襯底的源極和漏極。

10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述犧牲層，以去除所述犧牲層形成腔體結構的柵介質層之后，還包括：

對所述有源層進行退火處理，以提高所述有源層的強度。