[發(fā)明專利]電容式集成傳感器及其加工工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010184408.4 | 申請日： | 2020-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN111348615B | 公開（公告）日： | 2023-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐香菊;付博;方華斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 濰坊歌爾微電子有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81C1/00;G01D5/24 |
| 代理公司： | 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人： | 胡海國 |
| 地址： | 261000 山東省濰坊市濰坊高新區(qū)新*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電容 集成 傳感器 及其 加工 工藝 | ||
1.一種電容式集成傳感器，其特征在于，所述電容式集成傳感器包括MEMS傳感器、ASIC芯片以及基板，所述基板上設(shè)有容置腔，所述MEMS傳感器設(shè)置在所述容置腔中，所述ASIC芯片設(shè)置在所述基板上并與所述MEMS傳感器間隔設(shè)置，所述MEMS傳感器通過引線與所述ASIC芯片電連接；所述容置腔上具有開口，所述MEMS傳感器具有第一極板和第二極板，所述第一極板設(shè)置在與所述開口相對的腔壁上，所述第二極板設(shè)置在所述開口處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式集成傳感器，其特征在于，所述電容式集成傳感器還包括接線端，所述接線端設(shè)置在所述基板上，所述接線端通過引線與所述ASIC芯片電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式集成傳感器，其特征在于，所述電容式集成傳感器還包括外殼，所述外殼罩設(shè)于所述基板外。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的電容式集成傳感器，其特征在于，所述引線均設(shè)置在所述基板內(nèi)部。
5.一種電容式集成傳感器的加工工藝，其特征在于，所述加工工藝用于制作如權(quán)利要求1-4中任一項所述的電容式集成傳感器，所述加工工藝包括以下步驟：
在基板上開設(shè)容置腔；
在所述容置腔上設(shè)置開口；
在所述容置腔內(nèi)與所述開口相對的腔壁上電鍍金屬以形成第一極板；
在所述基板上設(shè)置膜片，所述膜片覆蓋所述開口；
在膜片上朝向所述第一極板的一側(cè)電鍍金屬以形成第二極板；
將ASIC芯片安裝在所述基板上，且與所述容置腔間隔設(shè)置；
通過引線將所述MEMS傳感器與所述ASIC芯片電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加工工藝，其特征在于，所述將MEMS傳感器安裝在所述容置腔中的步驟包括：
在所述容置腔上設(shè)置開口；
在所述容置腔內(nèi)與所述開口相對的腔壁上沉積導(dǎo)電離子以形成第一極板；
向所述容置腔中設(shè)置填充絕緣材料直至將所述容置腔填滿；
在所述絕緣材料的表面沉積導(dǎo)電離子以形成第二極板；
將所述絕緣材料去除。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的加工工藝，其特征在于，所述在所述絕緣材料的表面沉積導(dǎo)電離子以形成第二極板的步驟包括：
在所述絕緣材料背離所述第一極板的一側(cè)表面設(shè)置保護(hù)層；
在所述保護(hù)層上沉積導(dǎo)電離子以形成所述第二極板。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加工工藝，其特征在于，所述通過引線將所述MEMS傳感器與所述ASIC芯片電連接的步驟之后，還包括：
在所述基板上設(shè)置外殼，以使所述外殼罩設(shè)于所述基板外。
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