[發(fā)明專利]一種界面鈍化的二維鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010183477.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111261781B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 冀婷;王英奎;張恒康;崔艷霞;李國(guó)輝;張葉;王文艷;郝玉英;吳玉程 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H10K30/60 | 分類號(hào): | H10K30/60;H10K30/88;H10K71/00 |
| 代理公司: | 北京中睿智恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 16025 | 代理人: | 鄧大為 |
| 地址: | 030024 山西*** | 國(guó)省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 界面 鈍化 二維 鈣鈦礦 光電 探測(cè)器 及其 制備 方法 | ||
1.一種界面鈍化的二維鈣鈦礦光電探測(cè)器,其特征在于:該二維鈣鈦礦光電探測(cè)器是基于傳統(tǒng)平面倒置結(jié)構(gòu),即:ITO?/PTAA?/(PEA)2?(MA)4?Pb5I16?/PCBM?/BCP?/Ag,在空穴傳輸層PTAA與二維鈣鈦礦活性層(PEA)2(MA)?4Pb5I16之間加入2?nm厚度的氧化鋁絕緣層;該界面鈍化的二維鈣鈦礦光電探測(cè)器的器件結(jié)構(gòu)為ITO?/PTAA?/Al2O3?/(PEA)2(MA)4?Pb5I16?/PCBM?/BCP?/Ag,其中氧化銦錫ITO作為器件的陽(yáng)極,聚(雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺PTAA為空穴傳輸層,氧化鋁Al?2?O?3作為界面鈍化層,有效阻擋電子的進(jìn)入,二維鈣鈦礦(PEA)2?(MA)4?Pb5?I16為器件的活性層,苯基C61丁酸甲酯PCBM為電子傳輸層,2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉B(niǎo)CP為空穴阻擋層,頂層是銀電極,有效收集電子;
所述界面鈍化的二維鈣鈦礦光電探測(cè)器,按照如下的步驟進(jìn)行制備:
步驟一、將帶有ITO的玻璃片依次用去離子水、無(wú)水乙醇、異丙醇在超聲清洗機(jī)中超聲清洗各15分鐘,然后用氮?dú)獯蹈桑⒅糜谘醯入x子體清洗機(jī)中清洗5分鐘;
步驟二、將已經(jīng)配制好的PTAA溶液旋涂在ITO玻璃上,勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速設(shè)置為5000?rpm,時(shí)間為40?s,隨后將旋好的玻璃片放在熱臺(tái)上100℃退火10分鐘,PTAA溶于甲苯溶液中,濃度為5?mg/ml,厚度為15?nm,此過(guò)程在手套箱中進(jìn)行;
步驟三、將旋有PTAA的玻璃片放在ALD真空倉(cāng)內(nèi),將氧化鋁的沉積溫度設(shè)置為100℃,通過(guò)控制循環(huán)的次數(shù)確定薄膜的厚度,設(shè)置循環(huán)參數(shù)為20,經(jīng)膜厚校準(zhǔn)之后為2?nm,點(diǎn)擊開(kāi)始,儀器自動(dòng)運(yùn)行;
步驟四、在步驟三得到的結(jié)構(gòu)上采用旋涂的方法依次旋涂二維鈣鈦礦(PEA)2?(MA)4Pb5I16活性層,電子傳輸層PCBM和空穴阻擋層BCP,其中鈣鈦礦溶液濃度為1M,活性層厚度為230?nm;PCBM濃度為20?mg/ml的氯苯溶液,厚度為25?nm;BCP濃度為0.7?mg/ml的異丙醇溶液,厚度為10?nm;
步驟五、在步驟四的結(jié)構(gòu)上利用真空熱蒸鍍的方法蒸鍍銀電極,蒸鍍速率控制為1???/s,厚度為100?nm,蒸鍍完成后獲得二維鈣鈦礦光電探測(cè)器。
2.根據(jù)權(quán)利要求?1所述的界面鈍化二維鈣鈦礦光電探測(cè)器,其特征在于:步驟三中,在空穴傳輸層PTAA上采用原子層沉積技術(shù)沉積薄層氧化鋁,然后再旋涂活性層二維鈣鈦礦,電子傳輸層PCBM,空穴阻擋層BCP,最后蒸鍍銀電極。
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