[發明專利]多次可編程存儲器的單元結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202010182566.6
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111430452A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 秋珉完;金起準
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L27/11521;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種多次可編程存儲器的單元結構，其特征在于，包括：

襯底，

位于所述襯底上的浮柵，位于所述浮柵的側壁的第一側墻；以及，

依次位于所述浮柵上的SAB薄膜和控制柵，且所述SAB薄膜和所述控制柵沿垂直于所述浮柵厚度方向延伸覆蓋部分所述第一側墻。

2.根據權利要求1所述的多次可編程存儲器的單元結構，其特征在于，還包括位于所述襯底上的選擇柵，所述選擇柵的側壁形成有第二側墻。

3.根據權利要求2所述的多次可編程存儲器的單元結構，其特征在于，所述襯底中形成有源區，所述有源區中形成有源摻雜區和漏摻雜區。

4.根據權利要求3所述的多次可編程存儲器的單元結構，其特征在于，所述浮柵和所述選擇柵位于所述源摻雜區和所述漏摻雜區之間。

5.根據權利要求3所述的多次可編程存儲器的單元結構，其特征在于，還包括自對準硅化物層，所述自對準硅化物層覆蓋所述選擇柵、所述控制柵及所述源摻雜區和所述漏摻雜區。

6.根據權利要求5所述的多次可編程存儲器的單元結構，其特征在于，還包括位于所述自對準硅化物層上并覆蓋所述襯底的層間介質層，

位于所述層間介質層內且與所述自對準硅化物層連接的導電插塞，

及位于所述層間介質層上且與所述導電插塞連接的電極結構。

7.根據權利要求1所述的多次可編程存儲器的單元結構，其特征在于，所述浮柵和所述襯底之間形成有柵氧化層。

8.根據權利要求1所述的多次可編程存儲器的單元結構，其特征在于，所述SAB薄膜包括在所述浮柵表面依次疊加的氧化層和氮化層。

9.根據權利要求2所述的多次可編程存儲器的單元結構，其特征在于，所述第一側墻和所述第二側墻均具有ONO結構。

10.一種多次可編程存儲器的單元結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成浮柵，在所述浮柵的側壁形成第一側墻；以及，

在所述浮柵上依次形成SAB薄膜和控制柵，且所述SAB薄膜和所述控制柵沿垂直于所述浮柵厚度方向延伸覆蓋部分所述第一側墻。

11.根據權利要求10所述的多次可編程存儲器的單元結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述襯底上形成浮柵的同時，在所述襯底上形成選擇柵；在所述浮柵的側壁形成第一側墻的同時，在所述選擇柵的側壁形成第二側墻。

12.根據權利要求10所述的多次可編程存儲器的單元結構的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成浮柵之前還包括：在所述襯底上形成柵氧化層。

13.根據權利要求10所述的多次可編程存儲器的單元結構的制作方法，其特征在于，在所述浮柵的側壁形成第一側墻之后，在所述襯底上依次形成SAB薄膜層和控制柵層之前，還包括：對所述襯底進行離子注入，形成源摻雜區和漏摻雜區。

14.根據權利要求11所述的多次可編程存儲器的單元結構的制作方法，其特征在于，所述SAB薄膜包括在所述浮柵表面依次疊加的氧化層、氮化層，所述第一側墻和所述第二側墻均具有ONO結構。

15.根據權利要求12所述的多次可編程存儲器的單元結構的制作方法，其特征在于，在所述浮柵上依次形成SAB薄膜和控制柵包括以下步驟：

在所述襯底上形成SAB薄膜材料層和控制柵材料層；

采用SAB掩模，在所述控制柵材料層上形成圖案化的光刻膠層；

依次刻蝕所述控制柵材料層和所述SAB薄膜材料層，以在所述浮柵上依次形成SAB薄膜和所述控制柵。

16.根據權利要求13所述的多次可編程存儲器的單元結構的制作方法，其特征在于，在所述浮柵上形成所述SAB薄膜和所述控制柵之后還包括：

在所述襯底上形成自對準硅化物層，所述自對準硅化物層覆蓋所述選擇柵、所述控制柵及所述源摻雜區和所述漏摻雜區；

在所述襯底上形成層間介質層；

在所述層間介質層內形成暴露出所述選擇柵、所述控制柵及所述源摻雜區和所述漏摻雜區的接觸孔；

向所述接觸孔內壁填充導電材料，形成導電插塞；

在所述層間介質層上形成金屬層，并對所述金屬層圖形化形成電極結構。