[發明專利]一種OLED器件結構、顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 202010182481.8
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN113410402A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 蔡奇哲;姜雪
• 申請（專利權）人: 咸陽彩虹光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳精智聯合知識產權代理有限公司 44393
• 代理人: 夏聲平

1.一種OLED器件結構，其特征在于，包括：

第一電極；

自組裝層，位于所述第一電極之上；

第一傳輸層，位于所述自組裝層之上；

發光層，位于所述第一傳輸層之上；

第二傳輸層，位于所述發光層之上；

第二電極，位于所述第二傳輸層之上。

2.根據權利要求1所述的OLED器件結構，其特征在于，

所述第一傳輸層與所述自組裝層之間還具有第一注入層；

所述第二傳輸層與所述第二電極之間還具有第二注入層；

所述自組裝層的采用的材料在制程中易水平取向。

3.根據權利要求2所述的一種OLED器件結構，其特征在于，

所述自組裝層的材料為含氮或硫的雜環共軛長鏈線性分子；

所述自組裝層的制程為蒸鍍或者溶液涂覆工藝。

4.根據權利要求3所述的一種OLED器件結構，其特征在于，

所述含氮或硫的雜環共軛長鏈線性分子材料包括：

BDAVBi(4,4雙(4-(二苯胺)苯乙烯基)聯苯)；

PEBA(4-(2,2-二苯乙基)-N,N-雙(4-甲苯基)苯胺)；

CBP(4,4雙(N-咔唑)聯苯)；

PEDOT:PSS(聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸)；

Bpy-OXD(1,3-雙[2-(2,2’-雙吡啶-6)-1,3,4-氧重氮-5]苯)。

5.根據權利要求4所述的OLED器件結構，其特征在于，

所述第一電極為陽極；

所述第一注入層為電洞注入層；

所述第一傳輸層為電洞傳輸層；

所述第二傳輸層為電子傳輸層；

所述第二注入層為電子注入層；

所述第二電極為陰極。

6.根據權利要求5所述的一種OLED器件結構，其特征在于，

所述陽極適用的材料包括：氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化鋅中的一種或多種；

所述電洞注入層適用的材料包括：CuPc(29,31氫酞菁基-29,30,31,32,氮)銅和TNATA(4,4’,4”-三羥基甲基氨基[2-萘氧基乙酸(苯基)氨基]三苯胺)中的一種或多種；

所述電洞傳輸層適用的材料包括：NPB(N,N’-雙(1-苯乙烯基)-N，N’-雙-苯基-(1,1’-聯苯)-4,4’二胺))、TPTE(N,N’-雙苯基-雙(N,N-雙(苯氨基)聯苯-4-苯)聯苯胺)、spiro-TAD(N,N’-雙(3-甲苯基)-N,N’-雙苯基-9,9-螺二芴-2,7-雙氨)、BFA-1T(2(2(N,N’-雙苯基-4,4’雙甲基))-苯基噻吩)、TDAB(1,3,5-三羥甲基氨基甲基(二苯胺基)苯)、TDAPB((1,3,5-三(4-吡啶-3-基苯基)苯))、PTDATA(N1-苯基-N4,N4-雙(4-苯基(m-甲苯基)氨基)苯基-N1(m-m-甲苯基)苯-1,4-雙二胺))、p-DPA-TDAB(1,3,5-三[N-(4-二苯氨基苯)苯胺]苯)和MTBDAB(4,4’,4”-三羥基甲基甲基(N-3-苯甲基-N雙苯氨)苯)中的一種或多種；

所述電子傳輸層適用的材料包括：金屬螯合物、喹啉衍生物、喔啉類衍生物、二氮蒽衍生物和二氮菲衍生物中的一種或多種；

所述電子注入層適用的材料包括：氧化鋰、氧化鋰硼、硅氧化鉀、碳酸鉀、碳酸銫、醋酸鹽類CH3COOR和金屬氟化物RF中的一種或多種；

所述陰極適用的材料包括：鋁Al、鎂銀合金和鋰鋁合金中的一種或多種。

7.根據權利要求6所述的一種OLED器件結構，其特征在于，

所述金屬螯合物包括：6a-c,Mq3(羥基喹啉M鹽)，FAlq3(Mq3)(氟代羥基喹啉鋁),Al(OXD)3(氧二氮茂鋁),Znq2(8-羥基喹啉鋅)；

所述喔啉類衍生物包括：BPQ(雙(苯喹喔啉),TPQ(三羥甲基氨基甲基(苯喹喔啉)。