[發明專利]降低N-Topcon晶硅太陽能電池邊緣復合的方法

在審

• 申請號: 202010181829.1
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111312860A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 廖光明
• 申請（專利權）人: 江蘇日托光伏科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 賀翔

本發明公布了一種降低N?Topcon晶硅太陽能電池邊緣復合的方法，所述方法原有N?topcon工藝基礎上，在N?Topcon電池正面經過B元素摻雜處理后，增加正面激光邊緣刻蝕處理；在背面經過P元素摻雜處理后，增加背面激光邊緣刻蝕處理，降低了正、背面邊緣30～100um區域內載流子的橫向傳輸能力，改善邊緣復合電流，降低N?Topcon晶硅太陽能電池邊緣復合的幾率，提升光電轉換效率。

技術領域

本發明涉及一種降低N-Topcon電池邊緣復合的方法，屬于晶硅太陽能電池生產技術領域。

背景技術

在晶硅太陽能電池制造工藝中，光學損失、復合損失以及電阻損失是限制晶硅太陽能電池光電轉換效率極限的3大損失機制，其中正背表面、基體、邊緣、PN結耗盡區以及金屬接觸區都存在復合損失，對于不同結構的電池，不同區域的復合占比具有一定差異。

N-Topcon電池正、背面分別經過B、P元素摻雜處理，導致正、背表面都具有很強的載流子橫向傳輸能力；且正、背面分別有AlOx/SiNx、 SiO2/Poly-Si鈍化處理，表面復合損失非常小。該結構電池正背表面鈍化效果均比較好，因此正背表面復合比較小；且正背表面載流子橫向傳輸能力比較強，因此邊緣復合比較大。此起彼伏，因此增加了邊緣復合占總復合的比例；綜合以上兩點，邊緣區域復合在N-Topcon電池中的復合占比要遠大于其它結構電池。

發明內容

為了解決上述背景技術中的問題，本發明的目的是提供一種能夠降低N-Topcon晶硅太陽能電池邊緣復合的方法，增加了兩次激光刻蝕工藝，降低了正、背面邊緣30～100um區域內載流子的橫向傳輸能力，改善邊緣復合電流，提升了光電轉換效率。

本發明降低N-Topcon晶硅太陽能電池邊緣復合的方法，所述方法原有N-topcon工藝基礎上，在N-Topcon電池正面經過B元素摻雜處理后，增加正面激光邊緣刻蝕處理；在背面經過P元素摻雜處理后，增加背面激光邊緣刻蝕處理，降低了正、背面邊緣30～100um區域內載流子的橫向傳輸能力，改善邊緣復合電流，降低N-Topcon晶硅太陽能電池邊緣復合的幾率，提升光電轉換效率。

進一步的，所述方法具體為：

步驟一，在N-Topcon電池正面B元素摻雜后，利用激光脈沖對正面邊緣擴散區域刻蝕處理；

步驟二，在背面和側面BSG（Boro-Silicate Glass，即硼硅玻璃）去除工藝中，對激光刻蝕區域進行拋光處理，改善損傷層以及表面懸掛鍵；

步驟三，在電池片背面生長SiO₂/Poly-Si疊層鈍化膜，以及對非晶硅Poly-Si進行P元素摻雜和退火晶化處理后，二次利用脈沖激光對背面的poly-Si邊緣刻蝕處理；

步驟四，通過RCA清洗工藝對背面刻蝕區域進行拋光處理。

作為一種優選，所述步驟一中，刻蝕區域寬度在30～100um。

作為一種優選，所述步驟三中，刻蝕區域的寬度在30～100um。

本發明在原有N-Topcon工藝基礎上，增加了兩次激光刻蝕工藝，降低了正、背面邊緣30～100um區域內載流子的橫向傳輸能力，改善邊緣復合電流，提升了光電轉換效率。

附圖說明

圖1為N-Topcon電池正面經過B元素擴散后的示意圖；

圖2為N-Topcon電池背面Poly-Si膜經過P元素擴散示意圖。

圖中：D-正面B擴散區，W-正面激光刻蝕區，P-背面P擴散區，B-背面激光刻蝕區。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明進行詳細說明：