[發明專利]一種純無機發窄譜藍紫光二維鈣鈦礦單晶材料及生長方法

在審

• 申請號: 202010181827.2
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111270310A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 丁建旭;井琳;姚青;張杰;王開宇;袁野;孫海清
• 申請（專利權）人: 山東科技大學
• 主分類號: C30B29/12
• 分類號: C30B29/12;C30B7/08;C30B7/04;H01S3/16
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616
• 代理人: 胡文強

1.一種純無機發窄譜藍紫光二維鈣鈦礦單晶的生長方法，其特征在于：所述方法為采用從溶液中降溫或揮發溶劑的方法生長；該方法得到的二維鈣鈦礦單晶的化學成分為Cs₂PbCl₅。

2.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于：所述方法得到的Cs₂PbCl₅二維鈣鈦礦單晶在紫外光的激發下，會發射出主峰位于417nm附近的窄譜藍紫光，發射光譜的半高寬大約為18nm。

3.根據權利要求1所述的生長方法，其特征在于：所述方法具體為，將氯化鉛(PbCl₂)和氯化銫(CsCl)按比例混合溶解于去離子水或濃鹽酸中，其中原料摩爾比為PbCl₂：CsCl＝1：1～1:3；生長體系的濃度為0.01-0.05mol/L，于40-80℃下充分攪拌溶解獲得淺黃色透明的前驅體溶液，以一定降溫速率或緩慢揮發至室溫獲得一種無色透明的Cs₂PbCl₅二維鈣鈦礦單晶。

4.根據權利要求3所述的生長方法，其特征在于：所述去離子水和濃鹽酸可任意比例作為生長溶液。

5.根據權利要求3所述的生長方法，其特征在于：所述PbCl₂：CsCl的摩爾比為：1：1～1:3。

6.根據權利要求3所述的生長方法，其特征在于：溶液溫度高于60℃，采用自然降溫的方式降溫至室溫。

7.根據權利要求3所述的生長方法，其特征在于：溶液溫度低于60℃，采用較低的0.1℃/h降溫速率。

8.根據權利要求3所述的生長方法，其特征在于：溶液溫度降至室溫后，緩慢揮發溶劑，使晶體繼續生長。

9.一種根據權利要求1至8中任一項所述的生長方法得到二維結構、大尺寸、發藍紫光的鈣鈦礦單晶材料。