[發明專利]一種工作于66～83GHz的CMOS毫米波寬帶低噪聲放大器

有效

• 申請號: 202010181785.2
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111371412B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 張潤曦;張欣;石春琦
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/68
• 代理公司: 上海藍迪專利商標事務所(普通合伙) 31215
• 代理人: 徐筱梅;張翔

1.一種工作于66~83?GHz的CMOS毫米波寬帶低噪聲放大器，其特征在于，該毫米波寬帶低噪聲放大器包括輸入變壓器TF₁、第一級共源放大電路CS₁、第一級間變壓器TF₂、第二級共源放大電路CS₂、第二級間變壓器TF₃、第三極共源放大電路CS₃和輸出變壓器TF₄，所述輸入變壓器TF₁包括初級線圈Bp、第一次級線圈Bg和第二次級線圈Bs；第一級共源放大電路CS₁包括第一晶體管M1、和第二晶體管M2；第一級間變壓器TF₂包括初級線圈和次級線圈；第二級共源放大電路CS₂包括第三晶體管M3、第四晶體管M4、第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容C1及第二電容C2；第二級間變壓器TF₃包括初級線圈和次級線圈；第三級共源放大電路CS₃包括第五晶體管M5、第六晶體管M6、第三電阻R3、第四電阻R4、第三電容C3及第四電容C4；輸出變壓器TF₄包括初級線圈和次級線圈，其具體連接方式為：

射頻輸入信號RFin與輸入變壓器TF₁初級線圈Bp一端相連，輸入變壓器TF1初級線圈Bp的另一端接地；輸入變壓器TF₁第一次級線圈Bg的幾何中心位置與第一偏置電壓?V_b1相連，輸入變壓器TF₁第一次級線圈Bg的一端與第一晶體管M1的柵極相連，輸入變壓器TF₁第一次級線圈Bg的另一端與第二晶體管M2的柵極相連，輸入變壓器TF₁第二次級線圈Bs的幾何中心位置接地，輸入變壓器TF₁第二次級線圈Bs的一端與第一晶體管M1的源極相連，輸入變壓器TF₁第二次級線圈Bs的另一端與第二晶體管M2的源極相連；

第一晶體管M1的漏極與第一級間變壓器TF2初級線圈的一端相連，第一級間變壓器TF2初級線圈的另一端與第二晶體管M2的漏極相連；第一級間變壓器TF2初級線圈的幾何中心位置與電源電壓AVDD相連；第一級間變壓器TF2次級線圈一端與第三晶體管M3的柵極相連，第一級間變壓器TF2次級線圈另一端與第四晶體管M4的柵極相連；第三晶體管M3的柵極與第一電容C1的一端相連，第一電容C1的另一端與第四晶體管M4的漏極相連；第四晶體管M4的柵極與第二電容C2的一端相連，第二電容C2的另一端與第三晶體管M3的漏極相連；第三晶體管M3柵極與第一電阻R1的一端相連，第一電阻R1的另一端與第二級直流偏置V_b2相連，第四晶體管M4柵極與第二電阻R2的一端相連，第二電阻R2的另一端與第二級直流偏置V_b2相連；

第三晶體管M3的漏極與第二級間變壓器TF3初級線圈的一端相連，第二級間變壓器TF3初級線圈的另一端與第四晶體管M4的漏極相連；第二級間變壓器TF3初級線圈的幾何中心位置與電源電壓AVDD相連；第二級間變壓器TF3次級線圈一端與第五晶體管M5的柵極相連，第二級間變壓器TF3次級線圈另一端與第六晶體管M6的柵極相連；第五晶體管M5的柵極與第三電容C3的一端相連，第三電容C3的另一端與第六晶體管M6的漏極相連；第五晶體管M5的漏極與第四電容C4的一端相連，第四電容C4的另一端與第六晶體管M6的柵極相連；第五晶體管M5柵極與第三電阻R3的一端相連，第三電阻R3的另一端與第三級直流偏置V_b3相連，第六晶體管M6柵極與第四電阻R4的一端相連，第四電阻R4的另一端與第三級直流偏置V_b3相連；

第五晶體管M5漏極與輸出變壓器TF₄的初級線圈一端相連，輸出變壓器TF₄的初級線圈的另一端與第六晶體管M6漏極相連，輸出變壓器TF₄的初級線圈幾何中心位置與電源電壓AVDD相連，輸出變壓器TF₄次級線圈的一端與射頻輸出信號RFout相連，輸出變壓器TF₄次級線圈的另一端接地。