[發(fā)明專利]存儲器裝置、源極線電壓調(diào)整器及其源極線電壓調(diào)整方法

在審

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• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN113362867A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳重光;賴乙婷
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種源極線電壓調(diào)整器，耦接至一共同源極線，包括：

一運(yùn)算放大器，具有第一輸入端以耦接至該共同源極線，并具有第二輸入端以接收一參考電壓，該運(yùn)算放大器產(chǎn)生一偏壓電壓；

一電流汲取器，耦接在該共同源極線以及一參考接地端間，依據(jù)該偏壓電壓以由該共同源極線汲取一汲取電流；以及

一電流產(chǎn)生器，耦接至該共同源極線，提供一輸出電流至該共同源極線，該電流產(chǎn)生器依據(jù)該偏壓電壓以產(chǎn)生一第一電流，并依據(jù)一參考電流以產(chǎn)生一第二電流，該電流產(chǎn)生器依據(jù)該第二電流與該第一電流的差以產(chǎn)生該輸出電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源極線電壓調(diào)整器，其中，該電流產(chǎn)生器包括：

一第一電流源，依據(jù)該偏壓電壓以產(chǎn)生一第三電流；

一第一電流鏡，耦接該第一電流源，鏡射該第三電流以產(chǎn)生該第一電流；

一第二電流鏡，鏡射該參考電流以產(chǎn)生該第二電流；以及

一第三電流鏡，鏡射該第一電流以及該第二電流的差以產(chǎn)生該輸出電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的源極線電壓調(diào)整器，其中，該電流汲取器為一第一晶體管，其中該第一晶體管的控制端接收該偏壓電壓，該第一晶體管的第一端耦接至該共同源極線，該第一晶體管的第二端耦接至該參考接地端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的源極線電壓調(diào)整器，其中，該第一電流源為一第二晶體管，該第二晶體管的第一端耦接至該第一電流鏡并提供該第三電流，該第二晶體管的第二端耦接至該參考接地端，該第二晶體管的控制端接收該偏壓電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的源極線電壓調(diào)整器，其中，該第一晶體管與該第二晶體管具有相同的極性。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的源極線電壓調(diào)整器，其中該電流產(chǎn)生器還包括：

一參考電流源，耦接至該第二電流鏡，用以提供該參考電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的源極線電壓調(diào)整器，其中該第一電流鏡包括：

一第一晶體管，具有第一端以接收一電源電壓，該第一晶體管的第二端接收該第三電流，該第一晶體管的控制端耦接至該第一晶體管的第二端；以及

一第二晶體管，具有第一端以接收該電源電壓，該第二晶體管的控制端耦接至該第一晶體管的控制端，該第二晶體管的第二端產(chǎn)生該第一電流。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的源極線電壓調(diào)整器，其中該第二電流鏡包括：

一第三晶體管，具有第一端接收該參考電流，該第三晶體管的第一端與該第三晶體管的控制端相耦接，該第三晶體管的第二端耦接至該參考接地端；以及

一第四晶體管，具有第一端耦接至該第二晶體管的第二端，該第四晶體管的第二端耦接至該參考接地端，該第四晶體管的控制端耦接至該第三第晶體的控制端。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的源極線電壓調(diào)整器，其中該第三電流鏡包括：

一第五晶體管，具有第一端接收該電源電壓，該第五晶體管的第二端耦接至該第二晶體管的第二端以及該第四晶體管的第一端，該第五晶體管的控制端耦接至該第五晶體管的第二端；以及

一第六晶體管，具有第一端接收該電源電壓，該第六晶體管的第二端產(chǎn)生該輸出電流，該第六晶體管的控制端耦接至該第五晶體管的控制端，

其中該第五晶體管的第二端上的電流等于該第二電流與該第一電流的差。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的源極線電壓調(diào)整器，其中該第一晶體管、該第二晶體管、該第五晶體管以及該第六晶體管的極性相同，該第三晶體管與該第四晶體管的極性相同，而該第一晶體管與該第三晶體管的極性不相同。