[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010180648.7
• 申請(qǐng)日: 2020-03-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113410234B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宛偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底已形成隔離結(jié)構(gòu)、有源區(qū)和埋入式字線結(jié)構(gòu)，所述埋入式字線結(jié)構(gòu)的頂部表面形成有第一介質(zhì)層；

在所述半導(dǎo)體襯底的頂部表面和所述第一介質(zhì)層的頂部表面確定位線接觸開(kāi)口的位置；所述位線接觸開(kāi)口至少暴露部分有源區(qū)，且所述位線接觸開(kāi)口至少還暴露部分所述第一介質(zhì)層或部分所述隔離結(jié)構(gòu)；

依據(jù)所述位線接觸開(kāi)口的位置，刻蝕所述位線接觸開(kāi)口所暴露出的所述有源區(qū)、所述第一介質(zhì)層和所述隔離結(jié)構(gòu)，直至將所述有源區(qū)刻蝕至預(yù)設(shè)深度形成位線接觸窗；

形成第二介質(zhì)層于深度大于所述預(yù)設(shè)深度的所述有源區(qū)表面、所述隔離結(jié)構(gòu)表面和所述第一介質(zhì)層表面；

所述第二介質(zhì)層的頂部表面與所述預(yù)設(shè)深度齊平。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述在所述半導(dǎo)體襯底的頂部表面和所述第一介質(zhì)層的頂部表面確定位線接觸開(kāi)口的位置，包括：

在所述半導(dǎo)體襯底的頂部表面和所述第一介質(zhì)層的頂部表面形成第三介質(zhì)層；在所述第三介質(zhì)層中形成所述位線接觸開(kāi)口。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述在所述第三介質(zhì)層中形成位線接觸開(kāi)口，具體包括：

在所述第三介質(zhì)層頂部表面形成掩膜層，在所述掩膜層上形成后續(xù)形成所述位線接觸開(kāi)口所需的刻蝕圖案；其中，所述刻蝕圖案在所述半導(dǎo)體襯底上的正投影覆蓋相鄰所述埋入式字線結(jié)構(gòu)之間的有源區(qū)；

依據(jù)所述刻蝕圖案，刻蝕所述第三介質(zhì)層形成位線接觸開(kāi)口。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，刻蝕形成所述位線接觸開(kāi)口后或刻蝕形成所述位線接觸窗后，還包括：刻蝕去除所述第三介質(zhì)層頂部表面的所述掩膜層。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述刻蝕圖案為矩形。

6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述在所述第三介質(zhì)層頂部表面形成掩膜層，在所述掩膜層上形成后續(xù)形成位線接觸開(kāi)口所需的刻蝕圖案，具體包括：

在所述第三介質(zhì)層頂部表面形成子掩膜層；在所述子掩膜層頂部表面形成抗反射層；在所述抗反射層頂部表面形成光刻膠；

在所述光刻膠上形成所述刻蝕圖案。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述子掩膜層的厚度為30nm～150nm。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度為50nm～250nm。

9.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第三介質(zhì)層的厚度為50nm～300nm。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述形成第二介質(zhì)層于深度大于所述位線接觸窗內(nèi)有源區(qū)表面的所述隔離結(jié)構(gòu)表面和所述第一介質(zhì)層表面，具體包括：

填充所述位線接觸窗形成第二介質(zhì)中間層；

對(duì)所述第二介質(zhì)中間層進(jìn)行回刻蝕，形成所述第二介質(zhì)層；其中所述回刻蝕為刻蝕深度小于所述有源區(qū)表面的第二介質(zhì)中間層。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述填充為非保形填充。