[發明專利]反應器歧管

在審

• 申請號: 202010179812.2
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111719138A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: D·南德瓦納;J·L·溫科;E·J·希羅;T·R·杜納;C·L·懷特
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 張秀芬

1.一種半導體處理裝置，其包括：

歧管，所述歧管包括：

開孔，所述開孔構造成將氣體遞送到反應腔室；

第一塊，所述第一塊安裝到第二塊，第一安裝塊和第二安裝塊協作以至少部分地限定所述開孔；以及

供應通道，所述供應通道提供氣體源與所述開孔之間的流體連通，所述供應通道至少部分地設置于所述第二塊中；以及

金屬密封件，所述金屬密封件圍繞所述開孔設置在所述第一塊與所述第二塊之間的界面處。

2.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其中所述金屬密封件包括C型密封件。

3.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其中所述金屬密封件包括鋼。

4.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其中所述金屬密封件包括W型密封件。

5.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其進一步包括在所述歧管的下部處的出口。

6.根據權利要求5所述的半導體處理裝置，其中所述供應通道向上遠離所述出口并且向內朝向所述開孔成角度。

7.根據權利要求6所述的半導體處理裝置，其中所述第一塊包括在所述歧管的上部處的沖擊表面，所述沖擊表面成形為將氣體向下通過所述開孔重新引導到所述出口。

8.根據權利要求7所述的半導體處理裝置，其中所述沖擊表面和所述出口沿著所述開孔的縱軸線設置。

9.根據權利要求5所述的半導體處理裝置，其進一步包括安裝到所述第二塊并且在所述第二塊下方的第三塊、在所述第二塊與所述第三塊之間并且至少部分地圍繞所述開孔設置的第二金屬密封件，其中所述第二塊和所述第三塊協作以至少部分地限定所述開孔。

10.根據權利要求9所述的半導體處理裝置，其中所述出口至少部分地由所述第三塊限定。

11.根據權利要求5所述的半導體處理裝置，其進一步包括在所述出口下游的氣體分散裝置，所述氣體分散裝置構造成將所述氣流分散到反應腔室中。

12.根據權利要求11所述的半導體處理裝置，其進一步包括在所述氣體分散裝置下游的反應腔室，所述反應腔室構造成接收襯底。

13.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其進一步包括安裝到所述第一塊的閥塊和設置于所述閥塊與所述第一塊之間的第二金屬密封件，安裝到所述閥塊或與所述閥塊聯接的反應氣體閥。

14.一種半導體處理裝置，其包括：

歧管，所述歧管包括：

開孔，所述開孔構造成將氣體遞送到反應腔室；以及

在所述歧管的上部處的沖擊表面；

在所述歧管的下部處的出口；以及

供應通道，所述供應通道提供氣體源與所述開孔之間的流體連通，

其中所述供應通道向上遠離所述出口并且向內朝向所述開孔成角度，所述供應通道定向成向上朝向所述沖擊表面引導氣體，并且

其中所述沖擊表面成形為將氣體向下通過所述開孔重新引導到所述出口。

15.根據權利要求14所述的半導體處理裝置，其中所述歧管包括第一塊，所述第一塊安裝到第二塊，第一安裝塊和第二安裝塊協作以至少部分地限定所述開孔，所述第一塊包括所述沖擊表面。

16.根據權利要求15所述的半導體處理裝置，其進一步包括金屬密封件，所述金屬密封件至少部分地圍繞所述開孔設置在所述第一塊與所述第二塊之間。

17.根據權利要求14所述的半導體處理裝置，其中所述沖擊表面和所述出口沿著所述開孔的縱軸線設置。