[發明專利]自發光元件及其制造方法以及自發光顯示裝置、電子設備在審
| 申請號: | 202010177924.4 | 申請日: | 2020-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN111697036A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 辻村裕紀;橫田和弘;白波瀨英幸;米田和弘 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本有機雷特顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 馬強 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 及其 制造 方法 以及 顯示裝置 電子設備 | ||
本發明提供自發光元件及其制造方法以及自發光顯示裝置、電子設備。抑制有機EL元件的發光效率降低,實現長壽命化。具備:像素電極(11)、配置在所述像素電極(11)上方的有機發光層(14)、配置在所述有機發光層(14)上方并摻雜有低功函數的金屬的電子輸送層(23)、以及配置在所述電子輸送層23上方的對向電極(18),所述電子輸送層(23)具有依次層疊了第一層部分(15)、第二層部分(16)和第三層部分(17)的三層結構,第二層部分(16)的金屬摻雜濃度低于第一層部分(15)和第三層部分(17)各自的金屬摻雜濃度。
技術領域
本發明涉及一種有機電致發光元件(以下稱為“有機EL元件”)等自發光元件和其制造方法、以及將在基板上呈矩陣狀配置所述自發光元件的自發光面板用作圖像顯示單元的自發光顯示裝置、電子設備。
背景技術
近年來,作為發光型顯示器,在基板上沿矩陣方向排列多個有機EL元件的有機EL面板已被實際用作電子設備的顯示器。有機EL元件是電流驅動型自發光元件:具有在陽極和陰極一對電極對之間配設包含有機發光材料的有機發光層的基本結構,驅動時向一對電極對之間施加電壓,伴隨復合從陽極向有機發光層注入的空穴與從陰極向有機發光層注入的電子,產生所述電流。
通常,在這樣的有機EL面板中,為了提高從陰極向有機發光層的電子的注入性,在陰極和有機發光層之間設置電子輸送層。為了通過光的干涉效應提高光提取,使用銀等的金屬薄膜或IZO等的透明金屬氧化物膜作為陰極,但是由于這些陰極和有機發光層的LUMO能級之間存在差,能量勢壘大,所以不能認為電子注入性良好。
此外,例如,專利文獻1中公開了一種在形成電子輸送層的有機層中摻雜堿金屬或堿土金屬的化合物的構成。
這樣的堿金屬等功函數低,從陰極注入/輸送電子的能力高,因而能夠將為了供給有機EL元件發光所需的電流而施加于陽極和陰極的電壓(以下稱為“驅動電壓”)抑制得低,有助于降低功耗。
專利文獻1:日本特開2009-94456號公報
發明內容
然而,在具有這樣構成的有機EL元件中,當在特定條件下驅動時間達到一定時間或更長時,驅動電壓突然升高,從而有時有機EL元件的亮度降低,縮短產品壽命。
鑒于上述問題,本公開的目的在于提供一種自發光元件和其制造方法以及使用該自發光元件的自發光顯示裝置、電子設備,在確保良好的發光效率的同時抑制驅動電壓突然升高,從而可以實現長壽命化。
本公開的一個方案的自發光元件,其特征在于,具備:第一電極、配置在所述第一電極上方的發光層、配置在所述發光層上方并摻雜有金屬的功能層、以及配置在所述功能層上方的第二電極,所述功能層具有三層以上的多層結構,其最上層和最下層之間的中間層的金屬摻雜濃度低于所述最上層和所述最下層的金屬摻雜濃度。
另外,本公開的另一個方案的自發光元件,其特征在于,具備:第一電極、配置在所述第一電極上方的發光層、配置在所述發光層上方并摻雜有金屬的功能層、以及配置在所述功能層上方的第二電極,所述功能層在其膜厚方向上劃分為所述發光層側區域、所述第二電極側區域、以及所述發光層側區域和所述第二電極側區域之間的中間區域,所述中間區域的金屬摻雜濃度低于所述發光層側區域和所述第二電極側區域各自的摻雜濃度。
根據上述方案,能夠提供一種自發光元件和自發光顯示裝置、電子設備,在確保良好的發光效率的同時抑制驅動電壓突然升高,從而可以實現長壽命化。
附圖說明
圖1是示出本公開的一個方案的有機EL顯示裝置整體構成的框圖。
圖2是放大了上述有機EL顯示裝置中的有機EL面板的一部分圖像顯示面的示意性俯視圖。
圖3是沿圖2中的A-A線的示意性剖視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





