[發明專利]電壓的確定方法及裝置、存儲介質、電子裝置

有效

• 申請號: 202010177783.6
• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號: CN111402947B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 賁偉建;楊超
• 申請（專利權）人: 浙江華憶芯科技有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 江舟

1.一種電壓的確定方法，其特征在于，包括：

在以默認電壓從存儲塊中讀取目標數據出現異常的情況下，確定所述存儲塊的狀態信息；

基于所述狀態信息選擇N個電壓偏移量，其中，在所述狀態信息包括所述存儲塊的擦寫次數和所述存儲塊的讀寫溫度的情況下，按照所述存儲塊的擦寫次數和所述存儲塊的讀寫溫度確定所述N個電壓偏移量，所述N是大于1的自然數；

利用所述N個電壓偏移量對所述默認電壓進行調整，得到N個測試電壓；

按照所述N個測試電壓中的每個測試電壓從所述存儲塊中讀取所述目標數據，得到N個讀取結果；

基于所述N個讀取結果之間的變化量確定讀取所述目標數據的目標電壓；

在基于所述狀態信息選擇N個電壓偏移量之前，所述方法還包括：確定所述N個電壓偏移量，其中，確定所述N個電壓偏移量包括：確定所述目標數據所在的存儲單元；定義所述存儲單元的狀態域，其中，定義所述存儲單元的狀態域包括：在顆粒判定信息狀態的規律下，利用狀態域管理機制分別將所述存儲單元的左1右0定義為Low域，左0右1定義為High域，通過Page?Type和選擇標志位Switch控制Page類型出現多個狀態域。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在以默認電壓從存儲塊中讀取目標數據出現異常的情況下，確定所述存儲塊的狀態信息包括：

在所述默認電壓與所述目標數據在存儲單元中的實際電壓不一致的情況下，確定讀取目標數據出現異常，其中，所述存儲單元位于所述存儲塊中，用于存儲所述目標數據；

確定所述存儲塊的狀態信息，其中，所述狀態信息包括以下至少之一：所述存儲塊的擦寫次數，所述存儲塊的讀寫溫度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述N個電壓偏移量對所述默認電壓進行調整，得到N個測試電壓，包括：

按照預定計算方式計算所述電壓偏移量與所述默認電壓之間的電壓值，得到所述N個測試電壓，其中，所述預定計算方式包括所述默認電壓與所述N個電壓偏移量之間的正向計算或反向計算。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，按照所述N個測試電壓中的每個測試電壓從所述存儲塊中讀取所述目標數據，得到N個讀取結果，包括：

確定所述N個測試電壓中每個測試電壓所在的電壓區域；

在所述每個測試電壓所在的電壓區域中從所述存儲塊中讀取所述目標數據，得到所述N個讀取結果。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述N個讀取結果之間的變化量確定讀取所述目標數據的目標電壓，包括：

確定所述N個讀取結果中每個讀取結果對應的電壓區域，得到N個電壓區域；

計算出所述N個電壓區域中每個電壓區域的變化量，得到N個變化量，其中，所述每個電壓區域的變化量用于表示所述每個讀取結果對應的電壓區域在第一預設值和第二預設值之間的變化次數；

確定出所述N個電壓區域中相鄰電壓區域的變化量；

利用所述相鄰電壓區域的變化量確定出讀取所述目標數據的目標電壓。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，利用所述相鄰電壓區域的變化量確定出讀取所述目標數據的目標電壓，包括：

在所述N個測試電壓發生正向移動的情況下，確定所述相鄰電壓區域的變化量的變化趨勢；

將所述N個變化量中每個變化量與對應的電壓區域的步長的平均值，得到N個平均值；

利用所述變化趨勢以及所述N個平均值確定出讀取所述目標數據的目標電壓。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，按照所述N個測試電壓中的每個測試電壓從所述存儲塊中讀取所述目標數據，得到N個讀取結果之后，所述方法還包括：

將所述N個讀取結果存儲至動態隨機存儲器DRAM中。