[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

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• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN113394272A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王楠
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/10
• 分類號(hào): H01L29/10;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L27/11;H01L21/8244;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括無效區(qū)和有效區(qū)，所述無效區(qū)上具有第一鰭部結(jié)構(gòu)，所述有效區(qū)上具有第二鰭部結(jié)構(gòu)；

位于所述基底上覆蓋所述第一鰭部結(jié)構(gòu)和第二鰭部結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層，所述無效區(qū)上的介質(zhì)層內(nèi)具有第一開口，且所述第一開口暴露出所述第一鰭部結(jié)構(gòu)的部分頂部表面和側(cè)壁表面；

位于所述第一鰭部結(jié)構(gòu)內(nèi)的第二開口，所述第二開口位于部分所述第一開口底部，且所述第二開口底部暴露出基底表面。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述有效區(qū)上介質(zhì)層內(nèi)的第三開口，且所述第三開口暴露出所述第二鰭部結(jié)構(gòu)的部分頂部表面和側(cè)壁表面。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二鰭部結(jié)構(gòu)包括沿基底表面法線方向排列的若干層溝道層，且第三開口暴露出的相鄰溝道層之間具有第四開口。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于第一開口側(cè)壁表面的第一側(cè)墻，且所述介質(zhì)層覆蓋所述第一側(cè)墻的側(cè)壁表面。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述第三開口側(cè)壁表面的第二側(cè)墻，且所述介質(zhì)層覆蓋所述第二側(cè)墻的側(cè)壁表面。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于第一開口和第二開口內(nèi)的第一柵極結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述第三開口和第四開口內(nèi)的第二柵極結(jié)構(gòu)，且所述第二柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞各溝道層。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二鰭部結(jié)構(gòu)內(nèi)的源漏摻雜層，所述源漏摻雜層位于介質(zhì)層底部，且所述源漏摻雜層覆蓋所述第二鰭部結(jié)構(gòu)層側(cè)壁表面。

9.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于第二開口側(cè)壁表面的第一隔離層，且所述第一隔離層的側(cè)壁齊平于所述無效區(qū)上第一側(cè)墻的側(cè)壁。

10.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述第四開口側(cè)壁表面的第二隔離層，且所述第二隔離層的側(cè)壁齊平于所述有效區(qū)上第二側(cè)墻的側(cè)壁。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于基底表面的隔離結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層位于所述隔離結(jié)構(gòu)表面，且所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部表面低于所述第一鰭部結(jié)構(gòu)和第二鰭部結(jié)構(gòu)的頂部表面。

12.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括無效區(qū)和有效區(qū)，所述無效區(qū)上具有第一鰭部結(jié)構(gòu)，所述有效區(qū)上具有第二鰭部結(jié)構(gòu)；

在所述無效區(qū)上形成橫跨所述第一鰭部結(jié)構(gòu)的第一偽柵極結(jié)構(gòu)，且所述第一偽柵極結(jié)構(gòu)位于所述第一鰭部結(jié)構(gòu)的部分頂部表面和側(cè)壁表面；

在所述基底上形成覆蓋所述第一鰭部結(jié)構(gòu)和第二鰭部結(jié)構(gòu)表面的介質(zhì)層，且所述介質(zhì)層暴露出所述第一偽柵極結(jié)構(gòu)頂部表面；

去除所述第一偽柵極結(jié)構(gòu)，在所述無效區(qū)上的介質(zhì)層內(nèi)形成第一開口，所述第一開口底部暴露出所述第一鰭部結(jié)構(gòu)的部分頂部表面和側(cè)壁表面；

去除所述第一開口底部暴露出的第一鰭部結(jié)構(gòu)，在所述第一鰭部結(jié)構(gòu)內(nèi)形成第二開口，且所述第二開口暴露出基底表面。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一鰭部結(jié)構(gòu)和第二鰭部結(jié)構(gòu)的形成方法包括：在所述基底上形成初始鰭部結(jié)構(gòu)，所述初始鰭部結(jié)構(gòu)包括若干沿基底表面法線方向重疊的溝道層和位于溝道層表面的犧牲層；去除所述無效區(qū)上的溝道層，在無效區(qū)上相鄰犧牲層之間、以及最底層的犧牲層和基底之間形成凹槽，位于所述有效區(qū)上的溝道層和犧牲層形成所述第二鰭部結(jié)構(gòu)；在所述凹槽內(nèi)形成填充層，位于無效區(qū)上的填充層和犧牲層形成所述第一鰭部結(jié)構(gòu)。