[發明專利]防止硅片粘連的硅片承載器在審
| 申請號： | 202010177416.6 | 申請日： | 2020-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN111243998A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 劉哲偉;馬南;李海楠;李佳;張寶慶;朱道峰;要博卿;王慧杰;李向東 | 申請（專利權）人： | 北京市塑料研究所 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 呂偉盼 |
| 地址： | 100031 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防止 硅片 粘連 承載 | ||
1.一種防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，包括承載器框架，所述承載器框架的立面設有多個縱向齒，相鄰的所述縱向齒之間形成縱向卡位，所述承載器框架的底部設有多個卡槽；所述卡槽與所述縱向卡位一一對應，多個所述卡槽的最低點均靠近其所對應的所述縱向卡位的縱向中心的相同一側。
2.根據權利要求1所述的防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，所述卡槽的橫截面為V形形狀。
3.根據權利要求1所述的防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，所述卡槽的底部為平滑的弧面。
4.根據權利要求1所述的防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，所述縱向齒設有第一過渡弧面。
5.根據權利要求1所述的防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，所述承載器框架的底部設有多個凸起的底部齒，所述卡槽由所述底部齒間隔形成，所述底部齒的齒形為倒V形。
6.根據權利要求5所述的防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，所述底部齒與所述縱向齒對應相連。
7.根據權利要求1所述的防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，所述縱向齒設有支撐部，所述支撐部凸出于所述縱向齒的齒側。
8.根據權利要求7所述的防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，所述支撐部呈半球形。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，所述承載器框架的兩個相對的立面分別設有第一組縱向齒和第二組縱向齒，所述第一組縱向齒與所述第二組縱向齒大小相同且一一對應。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的防止硅片粘連的硅片承載器，其特征在于，由聚偏氟乙烯制成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京市塑料研究所，未經北京市塑料研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010177416.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
