[發明專利]一種光線探測基板及其制備方法、光線探測設備有效
| 申請號: | 202010176046.4 | 申請日: | 2020-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN111354756B | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發明(設計)人: | 孟凡理;陳江博;李凡;梁魁;李達;張碩;李澤源 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L31/108 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;馮建基 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光線 探測 及其 制備 方法 設備 | ||
1.一種光線探測基板,包括基底和設置在所述基底上的多個光線探測單元,所述光線探測單元呈陣列排布;所述光線探測單元包括第一電極、第二電極和光電轉換層,所述光電轉換層位于所述第一電極和所述第二電極的背離所述基底的一側,所述光電轉換層在所述基底上的正投影覆蓋所述第一電極和所述第二電極,所述第一電極和所述第二電極在所述基底上的正投影之間具有間隔區,其特征在于,所述光電轉換層上開設有開口,所述開口在所述基底上的正投影位于所述間隔區。
2.根據權利要求1所述的光線探測基板,其特征在于,所述開口在所述基底上的正投影與所述第一電極在所述基底上的正投影之間的距離大于或等于2μm,所述開口在所述基底上的正投影與所述第二電極在所述基底上的正投影之間的距離大于或等于2μm。
3.根據權利要求2所述的光線探測基板,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極的厚度均小于或等于2000埃。
4.根據權利要求2所述的光線探測基板,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極的厚度均為500埃。
5.根據權利要求3所述的光線探測基板,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極的坡度角范圍均為大于0°且小于90°。
6.根據權利要求1-5任意一項所述的光線探測基板,其特征在于,各所述光線探測單元中,所述第一電極和所述第二電極沿陣列的第一方向依次排布,并構成叉指電極;沿陣列的第二方向排布的相鄰兩個所述光線探測單元中,上一個所述光線探測單元的所述第一電極與下一個所述光線探測單元的所述第二電極相鄰;
所述開口包括第一開口和第二開口,所述第一開口位于沿陣列第一方向相鄰的兩個所述光線探測單元之間;所述第二開口位于沿陣列第二方向相鄰的兩個所述光線探測單元之間。
7.根據權利要求6所述的光線探測基板,其特征在于,沿陣列的第二方向,所述第一電極在陣列的第二方向上的投影長度小于所述第二電極在陣列的第二方向上的投影長度;沿陣列的第一方向,所述第一電極在陣列的第一方向上的投影寬度小于所述第二電極在陣列的第一方向上的投影寬度;
所述第一開口為條形,所述第一開口的長度方向沿陣列的第二方向;所述第二開口為條形,所述第二開口的長度方向沿陣列的第一方向;
所述第一開口的長度大于或等于所述第一電極在陣列的第二方向上的投影長度,且所述第一開口在陣列的第二方向上的投影完全覆蓋所述第一電極在陣列的第二方向上的投影;所述第二開口的長度大于或等于所述第一電極在陣列的第一方向上的投影寬度,且所述第二開口在陣列的第一方向上的投影完全覆蓋所述第一電極在陣列的第一方向上的投影。
8.根據權利要求7所述的光線探測基板,其特征在于,所述第一開口和所述第二開口貫通形成“L”形。
9.根據權利要求1所述的光線探測基板,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極采用相同材料且同層設置,所述光線探測單元還包括絕緣層,所述絕緣層位于所述光電轉換層與所述第一電極和所述第二電極之間;
所述開口貫穿所述絕緣層。
10.根據權利要求9所述的光線探測基板,其特征在于,所述絕緣層包括無機絕緣層或有機絕緣層,所述無機絕緣層的厚度范圍為100~500埃;所述有機絕緣層的厚度范圍為1000~2000埃。
11.根據權利要求1所述的光線探測基板,其特征在于,所述光線探測單元還包括電信號輸出電路,所述電信號輸出電路設置于所述第一電極和所述第二電極的靠近所述基底的一側,所述電信號輸出電路與所述第一電極和所述第二電極之間還設置有平坦化層,所述電信號輸出電路通過開設在所述平坦化層中的過孔連接所述第一電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





