[發(fā)明專利]蝕刻組合物及利用其的蝕刻方法

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• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN111719157A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明翰;案縞源;李龍儁;池祥源;樸鍾模;金世訓(xùn)
• 申請（專利權(quán)）人: 易安愛富科技有限公司
• 主分類號(hào): C23F1/44
• 分類號(hào): C23F1/44
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;李書慧

1.一種蝕刻組合物，其中，包含過氧化氫、蝕刻添加劑、pH調(diào)節(jié)劑、氟化合物、底切抑制劑、胺化合物、以及余量的水，所述蝕刻添加劑為磷酸系化合物和硫酸系化合物，所述底切抑制劑為腺嘌呤、鳥嘌呤或它們的混合物，

所述底切抑制劑與胺化合物的重量比為1:5至10。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中，所述胺化合物為C4至C10的烷基胺、C3至C10的環(huán)烷基胺或它們的混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中，所述pH調(diào)節(jié)劑與蝕刻添加劑的重量比為1:1至4。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中，所述磷酸系化合物為磷酸、磷酸鹽或它們的混合物，硫酸系化合物為硫酸、硫酸鹽或它們的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中，相對于組合物總重量，所述組合物包含10至30重量％的過氧化氫、0.01至5重量％的蝕刻添加劑、0.1至3重量％的pH調(diào)節(jié)劑、0.01至1重量％的氟化合物、0.01至2重量％的底切抑制劑、0.1至5重量％的胺化合物、以及余量的水。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中，所述氟化合物為選自HF、NaF、KF、AlF₃、HBF₄、NH₄F、NH₄HF₂、NaHF₂、KHF₂和NH₄BF₄中的任一種或兩種以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其中，所述組合物還包含選自蝕刻抑制劑和螯合劑中的一種或兩種以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蝕刻組合物，其中，所述蝕刻抑制劑是分子內(nèi)包含選自氧、硫和氮中的一種或兩種以上的雜原子的雜環(huán)化合物，

所述螯合劑是分子內(nèi)包含氨基和羧酸基或膦酸基的化合物。

9.一種金屬膜的蝕刻方法，其中，包括使權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的蝕刻組合物與金屬膜接觸而對金屬膜進(jìn)行蝕刻的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬膜的蝕刻方法，其中，所述金屬膜包含選自銅、鉬、鈦、銦、鋅、錫和鈮中的一種或兩種以上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的金屬膜的蝕刻方法，其中，所述金屬膜選自包含銅的單一金屬膜、包含銅合金膜的銅合金膜、以及包含含有銅的上部膜和鉬膜或鉬合金膜的多重膜。

12.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，包括利用權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的蝕刻組合物而進(jìn)行的蝕刻工序。