[發明專利]一種白色晶花熔塊、白色晶花裝飾陶瓷磚及其制備方法有效
| 申請號: | 202010175820.X | 申請日: | 2020-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN111393027B | 公開(公告)日: | 2021-12-03 |
| 發明(設計)人: | 潘利敏;楊元東;覃增成;王賢超;程科木 | 申請(專利權)人: | 蒙娜麗莎集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C03C8/12 | 分類號: | C03C8/12;C04B41/89 |
| 代理公司: | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;牛彥存 |
| 地址: | 528211 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 白色 晶花熔塊 裝飾 陶瓷磚 及其 制備 方法 | ||
1.一種白色晶花熔塊,其特征在于,所述熔塊的化學成分包括:按質量百分比計,燒失:0.34%~0.52%;SiO2:40.89%~42.10%;Al2O3:26.46%~28.31%;Fe2O3:0.09%~0.25%;TiO2:0.12%~0.16%;CaO:3.98%~4.62%;MgO:1.64%~2.28%;K2O:2.08%~3.95%;Na2O:1.73%~2.15%;ZrO2:3.78%~4.45%;CeO2:6.98%~8.01%;ZnO:5.98%~7.78%;BaO:2.01%~2.78%;PbO:0.83%~1.07%;As2O3:0.09%~1.12%;所述熔塊的顆粒級配為:40目以下:15%~17%;40目~60目:44%~49%;60目~80目:26%~28%;80目~100目:6%~8%;100目以上:≤2%;所述熔塊的軟化溫度為 1018℃~1073℃,在所述軟化溫度內的熔液黏度為 1.03×106~1.57×106Pa·S;所述熔塊形成的白色晶花的組成為:ZrSiO4占43%~44%、Zr0.82Ce0.18O2占37%~38%以及 Ce0.75Zr0.15O2占18%~19%。
2.一種白色晶花裝飾陶瓷磚,其特征在于,包括權利要求1所述的白色晶花熔塊形成的釉面層。
3.根據權利要求2所述的白色晶花裝飾陶瓷磚,其特征在于,所述釉面層的厚度為0.35~0.55mm。
4.根據權利要求2所述的白色晶花裝飾陶瓷磚,其特征在于,所述陶瓷磚不包括打印圖案。
5.一種權利要求2至4中任一項所述的白色晶花裝飾陶瓷磚的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)在陶瓷坯體上依次施面釉、施保護釉;
(2)在步驟(1)所得的陶瓷坯體表面布施權利要求1所述的白色晶花熔塊,然后在布施白色晶花熔塊的坯體表面布施固定劑;
(3)將步驟(2)所得的坯體燒成、拋光。
6.根據權利要求5所述的白色晶花裝飾陶瓷磚的制備方法,其特征在于,所述面釉的比重為1.42~1.46,施釉量為400~600g/m2。
7.根據權利要求5所述的白色晶花裝飾陶瓷磚的制備方法,其特征在于,所述保護釉的比重為1.20~1.22,施釉量為250~300g/m2。
8.根據權利要求5所述的白色晶花裝飾陶瓷磚的制備方法,其特征在于,所述白色晶花熔塊的布施量為800~1000g/m2。
9.根據權利要求5所述的白色晶花裝飾陶瓷磚的制備方法,其特征在于,所述固定劑的布施量為200~250g/m2。
10.根據權利要求5所述的白色晶花裝飾陶瓷磚的制備方法,其特征在于,燒成周期為98~110min,最高燒成溫度為1189~1221℃。
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