[發(fā)明專利]電子裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010174846.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112151568A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高啟倫;高克毅;曾名駿;郭拱辰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 裝置 | ||
本發(fā)明公開一種電子裝置,其包括基板、共享電極以及多個(gè)像素。共享電極設(shè)置于基板上。像素設(shè)置于基板上,且像素的其中至少一個(gè)包括薄膜晶體管、第一電極、第二電極以及輔助電極。第一電極電連接到薄膜晶體管。輔助電極電連接到共享電極并與第一電極電性絕緣,第一電極與輔助電極之間具有最短距離,且第一電極與輔助電極之間的最短距離小于第一電極與共享電極之間的最短距離。本發(fā)明能夠提升電子裝置的靜電防護(hù)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電子裝置,特別是涉及一種在像素中設(shè)置輔助電極的電子裝置。
背景技術(shù)
隨著科技的進(jìn)步,具有顯示功能的電子裝置已發(fā)展為具有外型輕薄、耗電量少以及無(wú)輻射污染等特性,因此可廣泛地應(yīng)用在日常生活的各個(gè)層面中,例如其已廣泛應(yīng)用于電視、筆記本電腦、桌面計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、智能型手機(jī)等現(xiàn)代化信息設(shè)備。在現(xiàn)有的電子裝置中,需要許多用于控制像素顯示的薄膜晶體管,然而在電子裝置的制作過(guò)程中或制作完成之后,存在許多靜電,例如累積在制作機(jī)臺(tái)或載具上的靜電或存在欲設(shè)置在薄膜晶體管上的元件的靜電,以致于薄膜晶體管容易因靜電放電而產(chǎn)生電性上的偏移(例如臨界電壓偏移)或損壞,造成電子裝置的顯示不良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種電子裝置,其包括基板、共享電極以及多個(gè)像素。共享電極設(shè)置于基板上。像素設(shè)置于基板上,且像素的其中至少一個(gè)包括薄膜晶體管、第一電極、第二電極以及輔助電極。第一電極電連接到薄膜晶體管。輔助電極電連接到共享電極并與第一電極電性絕緣,第一電極與輔助電極之間具有最短距離,且第一電極與輔助電極之間的最短距離小于第一電極與共享電極之間的最短距離。
附圖說(shuō)明
圖1A所示為本發(fā)明第一實(shí)施例的電子裝置的俯視示意圖;
圖1B所示為沿著圖1A的剖線A-A’的剖視示意圖;
圖2所示為本發(fā)明第一實(shí)施例的一變化實(shí)施例的電子裝置的俯視示意圖;
圖3A所示為本發(fā)明第二實(shí)施例的電子裝置的俯視示意圖;
圖3B所示為沿著圖3A的剖線B-B’的剖視示意圖;
圖4所示為本發(fā)明第二實(shí)施例的一變化實(shí)施例的電子裝置的俯視示意圖;
圖5所示為本發(fā)明第二實(shí)施例的另一變化實(shí)施例的電子裝置的剖視示意圖;以及
圖6所示為本發(fā)明其他變化實(shí)施例的輔助電極的俯視示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明:1、2、3、4、5-電子裝置;12-基板;12S-上表面;14、514-共享電極;14A、14B-條狀部;14C-第一開口;16-像素;18-薄膜晶體管;181-通道層;182-閘極;183-源極/汲極;18D-驅(qū)動(dòng)元件;18S-切換元件;20-第一電極;22、422-第二電極;24、224、324、624、724、824、924、1024、1124-輔助電極;24A、324A、624A、724A、924A、1024A、1124A-第二開口;26-發(fā)光元件;26A-發(fā)光體;26B-導(dǎo)電墊;28-半導(dǎo)體層;30、34-絕緣層;38-平坦層;381、382、383-穿孔;40-保護(hù)層;40A-開口;42、42A、42B、350-導(dǎo)線;44-接墊;46-導(dǎo)電材料;48-緩沖層;D1-第一方向;D2-第二方向;M、32、36-導(dǎo)電層;MD1、MD2、MD3-最短距離;TD-俯視方向。
具體實(shí)施方式
下文結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述,且為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂,下文各附圖為可能為簡(jiǎn)化的示意圖,且其中的元件可能并非按比例繪制。并且,附圖中的各元件的數(shù)量與尺寸僅為示意,并非用于限制本發(fā)明的范圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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