[發(fā)明專利]源漏完全硅金屬化的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010174767.1
• 申請(qǐng)日: 2020-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN111293114B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海晶豐明源半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 上海大視知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31314
• 代理人: 蔡沅

1.一種源漏完全硅金屬化的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

淺溝槽隔離，包括：位于所述襯底頂部?jī)蓚?cè)及中間的淺溝槽隔離，該中間的淺溝槽隔離將器件分為高壓器件和低壓器件，還包括：位于所述低壓器件頂部的低壓側(cè)淺溝槽隔離；

N型漂移漏極區(qū)域，設(shè)置于所述高壓器件的襯底頂部；

P阱，設(shè)置于所述低壓器件的襯底頂部；

P-體區(qū)，設(shè)置于所述的N型漂移漏極區(qū)域的頂部，所述P-體區(qū)的頂部設(shè)置有淺槽；

N+摻雜區(qū)，包括位于所述N型漂移漏極區(qū)域頂部?jī)蓚?cè)的第一N+摻雜區(qū)及第二N+摻雜區(qū)，位于所述P-體區(qū)頂部的淺槽兩側(cè)的第三N+摻雜區(qū)，以及位于所述P阱頂部的第四N+摻雜區(qū)及第五N+摻雜區(qū)；所述第一N+摻雜區(qū)及第二N+摻雜區(qū)為所述高壓器件的漏極，所述第四N+摻雜區(qū)及第五N+摻雜區(qū)為所述低壓器件的漏極和源極；

P+摻雜區(qū)，包括位于所述的淺槽底部的第一P+摻雜區(qū)，以及位于所述P阱頂部的第二P+摻雜區(qū)；所述第一P+摻雜區(qū)與所述第三N+摻雜區(qū)為所述高壓器件的源極；所述第二P+摻雜區(qū)為所述低壓器件的P阱引出端；

柵極氧化層，包括覆蓋于所述P-體區(qū)的部分區(qū)域及所述N型漂移漏極區(qū)域的部分區(qū)域之上的第一柵極氧化層和第二柵極氧化層，以及覆蓋于所述P阱之上的第三柵極氧化層；

多晶硅沉積層，包括覆蓋于所述第一柵極氧化層之上的第一多晶硅沉積層和覆蓋于所述第二柵極氧化層之上的第二多晶硅沉積層，所述第一多晶硅沉積層及第二多晶硅沉積層為所述高壓器件的柵極；還包括覆蓋于所述第三柵極氧化層之上的第三多晶硅沉積層，為所述低壓器件的柵極；

硅化層，包括：覆蓋于所述第一N+摻雜區(qū)之上的第一硅化層；覆蓋于所述的第一多晶硅沉積層之上的第二硅化層；覆蓋于所述的第三N+摻雜區(qū)和第一P+摻雜區(qū)之上的第三硅化層；覆蓋于第二多晶硅沉積層所述的之上的第四硅化層；覆蓋于所述的第二N+摻雜區(qū)之上的第五硅化層；覆蓋于所述的第四N+摻雜區(qū)之上的第六硅化層；覆蓋于所述的第三多晶硅沉積層之上的第七硅化層；覆蓋于所述的第五N+摻雜區(qū)之上的第八硅化層；以及覆蓋于所述的第二P+摻雜區(qū)之上的第九硅化層；

第一側(cè)墻層，設(shè)置于所述的第一多晶硅沉積層、第二多晶硅沉積層及第三多晶硅沉積層的兩側(cè)；

第二側(cè)墻層，設(shè)置于所述的第一多晶硅沉積層和第二多晶硅沉積層遠(yuǎn)離所述的淺槽的第一側(cè)墻層的外側(cè)；

輕摻雜區(qū)，設(shè)置于所述的第一側(cè)墻層及所述的第二側(cè)墻層之下，包括：位于所述第一N+摻雜區(qū)與N型漂移漏極區(qū)域之間的第一輕摻雜區(qū)；位于所述第三N+摻雜區(qū)兩側(cè)與P-體區(qū)之間的第二輕摻雜區(qū)和第三輕摻雜區(qū)，位于所述的第二N+摻雜區(qū)與所述的N型漂移漏極區(qū)域之間的第四輕摻雜區(qū)；位于所述的第四N+摻雜區(qū)與所述P阱之間的第五輕摻雜區(qū)；以及位于所述的第五N+摻雜區(qū)與所述P阱之間的第六輕摻雜區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源漏完全硅金屬化的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，還包括：

連接線，設(shè)置于所述的第一硅化層、第三硅化層、第五硅化層、第六硅化層、第八硅化層和第九硅化層之上；

介質(zhì)層，設(shè)置于各所述連接線之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的源漏完全硅金屬化的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，設(shè)置于所述的第三硅化層之上的高壓器件源極連接線僅連接所述淺槽底部及一個(gè)側(cè)壁的第三硅化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的源漏完全硅金屬化的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，設(shè)置于所述的第三硅化層之上的高壓器件源極連接線僅連接所述淺槽底部的第三硅化層。