[發明專利]具有部分凹進電容器的封裝襯底

在審

• 申請號: 202010173333.X
• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號: CN111696950A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: J·M·威廉姆森;S·辛哈
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/64;H01L25/16;H01L21/60
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 魏利娜

1.一種半導體封裝，其包括：

多層襯底，其包括：

介電層；

第一導電層，其在所述介電層的第一側上形成第一組電觸點；

第二導電層，其在所述介電層的第二側上形成第二組電觸點，所述第二組電觸點包括封裝電觸點和兩個電容器電觸點；

導電通孔，其在所述第一導電層與所述第二導電層之間延伸穿過所述介電層；和

所述第二導電層的上方的阻焊層，所述阻焊層形成與所述封裝電觸點相鄰的電觸點開口，并且在所述兩個電容器電觸點的上方形成電容器開口；

半導體管芯，其在所述多層襯底的所述第一側上，并且電連接到所述第一組電觸點；和

電容器，其在所述多層襯底的所述第二側上，并且經由所述兩個電容器電觸點和所述多層襯底電連接到所述半導體管芯，其中所述電容器的凹進部分在所述兩個電容器電觸點與所述阻焊層的板側表面之間的所述電容器開口內。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，

其中所述電觸點開口是阻焊層限定，并且

其中所述兩個電容器電觸點是非阻焊層限定。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括在所述電容器的電容器端子和所述兩個電容器電觸點之間的直接焊料連接，所述電容器端子和所述兩個電容器電觸點僅通過所述直接焊料連接的毛細流分開。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，還包括多個焊料凸塊，所述多個焊料凸塊形成與所述封裝電觸點相對應的焊球陣列，所述多個焊料凸塊中的每一個在所述電觸點開口內與所述封裝電觸點接觸。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，

其中所述兩個電容器電觸點是非阻焊層限定，

所述半導體封裝進一步包括直接焊料連接，所述直接焊料連接在所述兩個電容器電觸點的暴露邊緣的上方形成焊接圓角。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括在所述電觸點開口內而不在所述電容器開口內的預焊料。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括在形成所述第二導電層的賤金屬的上方的有機可焊保護劑。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述電容器部分地凹進所述電容器開口內至少0.10毫米的深度。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括形成與所述封裝電觸點相對應的焊球陣列的多個焊料凸塊，所述多個焊料凸塊中的每一個在所述電觸點開口內與所述封裝電觸點接觸，

其中所述電容器的厚度至少為0.30毫米(mm)，

其中所述多個焊料凸塊被配置為當所述半導體封裝被安裝到外部板時提供不大于0.40mm的塌陷厚度，并且

其中所述電容器部分地凹進所述電容器開口內，以當所述半導體封裝被安裝到所述外部板時提供與所述外部板的至少0.15mm的間隙距離。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述半導體管芯通過倒裝芯片連接被電連接至所述第一組電觸點。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述電容器是多層陶瓷貼片電容器。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中所述多層陶瓷貼片電容器通過2010年6月1日修訂版D的AEC-Q200應力測試認證。