[發明專利]發光元件、顯示裝置、電子設備及照明裝置有效
| 申請號： | 202010173033.1 | 申請日： | 2016-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN111341927B | 公開（公告）日： | 2023-06-09 |
| 發明（設計）人： | 瀨尾哲史;渡部剛吉;光森智美 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H10K50/12 | 分類號： | H10K50/12;H10K101/40 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 賈成功 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 元件 顯示裝置 電子設備 照明 裝置 | ||
1.一種發光元件，包括：
一對電極；以及
所述一對電極之間的層，該層包括客體材料、第一主體材料和第二主體材料，
其中，所述客體材料能夠將三重激發能量轉換為發光，
所述客體材料的HOMO能級高于所述第一主體材料的HOMO能級，
所述第二主體材料的LUMO能級高于所述第一主體材料的LUMO能級，以及
所述第二主體材料的HOMO能級低于所述客體材料的所述HOMO能級。
2.根據權利要求1所述的發光元件，其中所述客體材料的LUMO能級與所述客體材料的所述HOMO能級之間的第一能量差大于從所述客體材料的吸收光譜的吸收端算出的遷移能量。
3.根據權利要求2所述的發光元件，其中所述第一能量差與所述遷移能量之間的能量差為0.3eV以上且0.8eV以下。
4.根據權利要求1所述的發光元件，其中所述客體材料的發光能量等于或小于從所述客體材料的吸收光譜的吸收端算出的遷移能量。
5.根據權利要求4所述的發光元件，其中所述客體材料的LUMO能級與所述客體材料的所述HOMO能級之間的第一能量差與所述客體材料的所述發光能量之間的能量差為0.3eV以上且0.8eV以下。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的發光元件，其中所述第一主體材料的單重激發能級與三重激發能級之間的差大于0eV且0.2eV以下。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的發光元件，其中所述第一主體材料能夠在室溫下呈現熱活化延遲熒光。
8.一種發光元件，包括：
一對電極；以及
所述一對電極之間的層，該層包括客體材料、第一主體材料和第二主體材料，
其中，所述客體材料能夠將三重激發能量轉換為發光，
所述客體材料的HOMO能級高于所述第一主體材料的HOMO能級，
所述第二主體材料的LUMO能級高于所述第一主體材料的LUMO能級，
所述第二主體材料的HOMO能級低于所述第一主體材料的所述HOMO能級，以及
所述客體材料的LUMO能級與所述客體材料的所述HOMO能級之間的第一能量差大于所述第一主體材料的所述LUMO能級與所述第一主體材料的所述HOMO能級之間的能量差。
9.根據權利要求8所述的發光元件，其中所述第一能量差大于從所述客體材料的吸收光譜的吸收端算出的遷移能量。
10.根據權利要求9所述的發光元件，其中所述第一能量差與所述遷移能量之間的能量差為0.3eV以上且0.8eV以下。
11.根據權利要求8所述的發光元件，其中所述客體材料的發光能量小于或等于從所述客體材料的吸收光譜的吸收端算出的遷移能量。
12.根據權利要求11所述的發光元件，其中所述第一能量差與所述客體材料的所述發光能量之間的能量差為0.3eV以上且0.8eV以下。
13.根據權利要求8至12中任一項所述的發光元件，其中所述第一主體材料的單重激發能級與三重激發能級之間的差大于0eV且0.2eV以下。
14.根據權利要求8至12中任一項所述的發光元件，其中所述第一主體材料能夠在室溫下呈現熱活化延遲熒光。
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