[發明專利]用于處理基板的裝置和方法有效
| 申請號: | 202010172560.0 | 申請日: | 2020-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN111696892B | 公開(公告)日: | 2023-10-17 |
| 發明(設計)人: | 孫德鉉;洪性煥 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韓國忠清南道天安*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 裝置 方法 | ||
1.一種用于處理基板的裝置,所述裝置包括:
索引模塊;和
處理模塊,其設置為鄰接于所述索引模塊并被配置為處理所述基板,
其中,所述索引模塊包括:
一個或多個裝載端口,各裝載端口上放置有載體,所述載體具有接收在其中的所述基板;
側存儲器,其配置為存儲在所述處理模塊中經受處理的所述基板,并清除所述基板上的煙霧;和
傳送框架,其具有安裝在其中的索引機械手,所述索引機械手配置為在放置在所述裝載端口上的所述載體、所述側存儲器和所述處理模塊之間傳送所述基板,且
其中,所述側存儲器包括:
殼體,其具有內部空間;
分隔單元,其配置為將所述內部空間分隔成彼此獨立的多個接收空間;和
排氣單元,其配置為獨立地且分別地排空所述多個接收空間。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述分隔單元設置為使得所述多個接收空間在彼此上方堆疊。
3.根據權利要求2所述的裝置,其中,所述分隔單元包括:
分隔板,其配置為分隔所述內部空間;和
第一溫度調節構件,其配置為調節所述分隔板的溫度。
4.根據權利要求1至3任一項所述的裝置,其中,所述側存儲器還包括氣體供應單元,所述氣體供應單元配置為將氣體供應至所述多個接收空間中,且
其中,所述氣體供應單元包括:
氣體供應管線,其連接至所述多個接收空間;和
第二溫度調節構件,其安裝在所述氣體供應管線上,以調節所述氣體的溫度。
5.根據權利要求1至3任一項所述的裝置,其中,所述裝置還包括控制器,所述控制器配置為控制所述排氣單元,且
其中,所述控制器不同地調節從所述多個接收空間排放的氣體的量。
6.根據權利要求1至3任一項所述的裝置,其中,所述處理模塊包括多個處理單元,所述多個處理單元配置為執行N個不同的處理(N為大于1的整數),且
其中,提供M個接收空間(M為大于或等于N的整數)。
7.一種使用權利要求1的裝置處理基板的方法,所述方法包括:
在所述處理模塊中處理所述基板的處理步驟;和
在所述處理步驟之后,在所述多個接收空間中后處理所述基板的后處理步驟,
其中,獨立地且分別地排空所述多個接收空間。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,在所述后處理步驟中,第一基板接收在第一空間中,所述第一空間為所述多個接收空間之一;且第二基板接收在第二空間中,所述第二空間為所述多個接收空間的另一個,
其中,在所述處理步驟中,所述第一基板和所述第二基板經受不同的處理,且
其中,從所述第一空間和所述第二空間排放的氣體的量彼此不同。
9.根據權利要求7所述的方法,其中,在所述后處理步驟中,所述基板接收在各所述多個接收空間中,
其中,接收在各所述多個接收空間中的所述基板在所述處理步驟中經受相同的處理,且
其中,同一地調節從所述多個接收空間中排放的氣體的量。
10.根據權利要求7至9中任一項所述的方法,其中,所述多個接收空間通過溫度可調節的分隔板彼此分隔,且
其中,所述多個接收空間的溫度通過所述分隔板同一地調節。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





