[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 202010171855.6
• 申請日: 2015-08-05
• 公開（公告）號: CN111341729B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 吳鐵將
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導體裝置，其包括：

至少一個源極和至少一個汲極，所述至少一個源極的深度大于所述至少一個汲極的深度；

柵極結構，其直接接觸所述至少一個源極和所述至少一個汲極，所述柵極結構包括：

鄰近所述至少一個源極的所述柵極結構的第一側壁和鄰近所述至少一個汲極的所述柵極結構的第二側壁，所述柵極結構的所述第一側壁、所述第二側壁和底部是線性的，且由所述柵極結構的所述第一側壁和所述底部之間的交點形成的夾角不同于由所述柵極結構的所述第二側壁和所述底部之間的交點形成的另一夾角；以及

隔離結構，其直接接觸且鄰近所述至少一個源極和所述至少一個汲極。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述柵極結構經配置以產生不對稱電場。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括所述柵極結構上的電介質材料。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中第一隔離結構鄰近所述至少一個源極且第二隔離結構鄰近所述至少一個汲極。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述至少一個源極的頂部表面和所述至少一個汲極的頂部表面共平面。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中相鄰柵極結構的所述底部之間的距離是常數。

7.一種半導體裝置，包括：

源極和兩個汲極，所述源極的深度大于所述兩個汲極的深度；

兩個柵極堆疊，所述柵極堆疊中的每一個柵極堆疊在所述源極和所述兩個汲極中的一個汲極之間，所述兩個柵極堆疊中每一個柵極堆疊包括：

鄰近所述源極的所述柵極堆疊中的每一個柵極堆疊的第一側壁和鄰近所述兩個汲極中的一個汲極的所述柵極堆疊中的每一個柵極堆疊的第二側壁，所述柵極堆疊中的每一個柵極堆疊的所述第一側壁、所述第二側壁和底部是線性的，所述第一側壁從所述柵極堆疊中的每一個柵極堆疊的所述底部延伸到所述源極的頂部表面，所述第二側壁從所述柵極堆疊中的每一個柵極堆疊的所述底部延伸到所述兩個汲極中的一個汲極的頂部表面，且由所述柵極堆疊中的每一個柵極堆疊的所述第一側壁和所述底部之間的交點形成的夾角不同于由所述柵極堆疊中的每一個柵極堆疊的所述第二側壁和所述底部之間的交點形成的另一夾角；以及

隔離結構，其直接接觸所述兩個汲極中的每一個汲極。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述隔離結構橫向鄰近所述兩個汲極中的每一個汲極。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，進一步包括所述源極上方的接觸。

10.如權利要求7所述的半導體裝置，進一步包含所述兩個柵極堆疊中的每一個柵極堆疊上方的電介質材料。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，進一步包含所述兩個柵極堆疊的所述第一側壁和所述第二側壁上的柵極電介質材料。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其中所述柵極電介質材料將所述電介質材料與所述源極和所述汲極分開。

13.一種半導體裝置，其包含：

源極和汲極，所述源極的深度大于所述汲極的深度；

電介質材料，其介于所述源極和所述汲極之間；

隔離結構，其直接接觸所述源極和所述汲極中的每一者；以及

柵極結構，其在所述電介質材料下方且在所述源極和所述汲極之間，所述柵極結構包含：

所述柵極結構的側壁，其鄰近所述源極和所述汲極，所述側壁的第一側壁從所述柵極結構的底部線性延伸到所述源極的頂部表面，所述側壁的第二側壁從所述柵極結構的所述底部線性延伸到所述汲極的頂部表面，且由所述柵極結構的所述第一側壁和所述底部之間的交點形成的第一夾角不同于由所述柵極結構的所述第二側壁和所述底部之間的交點形成的第二夾角。