[發(fā)明專(zhuān)利]防倒灌電路和用電設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010171534.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111327038A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張木林;梁能;洪紹鑫;賴(lài)建岳;廖奇泊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02H11/00 | 分類(lèi)號(hào): | H02H11/00 |
| 代理公司: | 上海段和段律師事務(wù)所 31334 | 代理人: | 李佳俊;郭國(guó)中 |
| 地址: | 101300 北京市順*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 倒灌 電路 用電 設(shè)備 | ||
本發(fā)明提供了一種防倒灌電路和用電設(shè)備,包括:功率電路、采樣電路和控制電路;所述采樣電路的連接輸入電壓Vin,并通過(guò)所述功率電路連接所述控制電路,從而控制所述控制電路中的PMOS管Q1。本發(fā)明的防倒灌電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,防倒灌效果可靠,便于推廣應(yīng)用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子電路領(lǐng)域,具體地,涉及一種防倒灌電路和用電設(shè)備。
背景技術(shù)
防倒灌電路應(yīng)用于很多場(chǎng)合,他的作用就是保證各個(gè)單體電源互相獨(dú)立、不出現(xiàn)反灌現(xiàn)象。二極管由于本身具有單向?qū)щ娦裕跃褪翘烊坏姆赖构嚯娐贰H欢捎诙O管的正向壓降比較大,當(dāng)輸出電流很大時(shí),電路的損耗就非常大。在一些充電電路中,當(dāng)輸入電壓低于被充電電池電壓時(shí)。電池會(huì)通過(guò)功率電感,功率MOS的內(nèi)部二極管向輸入電路放電。
如專(zhuān)利文獻(xiàn)CN110676830A公開(kāi)了一種電流防倒灌電路以及智能門(mén)鎖系統(tǒng),該電流防倒灌電路包括:第一電流防倒灌模塊、升壓電路以及第二電流防倒灌模塊。現(xiàn)有的防倒灌電路結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,在一些低成本的設(shè)備中引用會(huì)顯著增加生產(chǎn)成本,因而難以應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷,本發(fā)明的目的是提供一種防倒灌電路和用電設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明提供的一種防倒灌電路,包括:功率電路、采樣電路和控制電路;
所述采樣電路的連接輸入電壓Vin,并通過(guò)所述功率電路連接所述控制電路,從而控制所述控制電路中的PMOS管Q1。
優(yōu)選地,所述采樣電路包括串聯(lián)的電阻R10和電阻R13,所述電阻R10的一端連接輸入電壓Vin,另一端通過(guò)所述電阻R13接地。
優(yōu)選地,所述功率電路包括:電阻R3、比較器U2和光耦U10;
所述電阻R3的一端連接輸入電壓Vin,另一端連接所述光耦U10中發(fā)光二極管的陽(yáng)極,所述比較器U2的陽(yáng)極連接在所述電阻R13與地之間,所述比較器U2的陰極連接所述光耦U10中發(fā)光二極管的陰極,所述比較器U2的參考極連接在所述電阻R10和所述電阻R13之間;
所述光耦U10中光敏三極管的發(fā)射極接地,所述光耦U10中光敏三極管的集電極連接所述控制電路。
優(yōu)選地,所述控制電路包括:電阻R1、電阻R2、電阻R6和所述PMOS管Q1;
所述電阻R6的一端連接所述光耦U10,所述電阻R1和所述電阻R2的一端并聯(lián)在所述電阻R6的另一端;
所述電阻R2的另一端連接電池電壓Vcharge;
所述電阻R1的另一端連接所述PMOS管Q1的柵極,所述PMOS管Q1的源極連接電池電壓Vcharge,所述PMOS管Q1的漏極連接輸入電壓Vin。
根據(jù)本發(fā)明提供的用電設(shè)備,包括上述的任一項(xiàng)防倒灌電路。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下的有益效果:
本發(fā)明的防倒灌電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,防倒灌效果可靠,便于推廣應(yīng)用。
VIN的輸入電壓開(kāi)通電壓點(diǎn)時(shí)MOS打開(kāi)輸入電流經(jīng)過(guò)MOS的溝道給后級(jí)電路。
當(dāng)輸入電壓低于開(kāi)通電壓點(diǎn)時(shí),MOS關(guān)閉防止電池倒灌到VIN端。
調(diào)整采樣電路的參數(shù)可改變mos的開(kāi)通電壓點(diǎn)。可根據(jù)電池電壓與輸入電壓的情況去設(shè)置。
附圖說(shuō)明
通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述,本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
圖1為本發(fā)明防倒灌電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
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