[發(fā)明專利]一種扇出型芯片互聯(lián)的制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010171369.4
• 申請(qǐng)日: 2020-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111508857A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郁發(fā)新;馮光建;張兵;王志宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 陳升華

1.一種扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

A：對(duì)扇出型芯片表面做重新布線，把扇出型芯片的PAD引入到芯片表面，具體包括：

（1）在扇出型芯片的表面涂覆光刻膠或者鈍化層，然后將覆蓋在扇出型芯片的PAD區(qū)域上的光刻膠或者鈍化層打開(kāi)，露出扇出型芯片的PAD；

（2）在扇出型芯片的表面制作絕緣層，之后通過(guò)物理濺射、磁控濺射或者蒸鍍工藝在絕緣層上方制作種子層，然后涂布電鍍光刻膠，電鍍金屬做RDL，RDL與步驟（1）的扇出型芯片的PAD連接，之后去除光刻膠，然后去除種子層；

B：步驟（2）的RDL的一端與扇出型芯片的PAD連接，RDL的另一端與內(nèi)部焊盤(pán)連接，內(nèi)部焊盤(pán)上重新制作外部焊盤(pán)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，步驟（1）中，所述的光刻膠為正膠或者負(fù)膠，厚度范圍在1um到100um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，步驟（1）中，所述的鈍化層為氧化硅或者氮化硅，厚度范圍在10nm到100um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，步驟（1）中，覆蓋在扇出型芯片的PAD區(qū)域上的光刻膠打開(kāi)，需要用曝光的工藝把扇出型芯片的PAD區(qū)域打開(kāi)，露出扇出型芯片的PAD。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，步驟（1）中，覆蓋在扇出型芯片的PAD區(qū)域上的鈍化層打開(kāi)，則需要通過(guò)光刻和刻蝕的工藝去除扇出型芯片的PAD區(qū)域的鈍化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，步驟（2）中，所述的種子層的厚度范圍在1nm到100um，所述的種子層的金屬材質(zhì)為鈦、銅、鋁、銀、鈀、金、鉈、錫、鎳中的一種或兩種以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，步驟B中，內(nèi)部焊盤(pán)上重新制作外部焊盤(pán)，具體包括：

（a）在RDL表面制作光刻膠或者鈍化層，當(dāng)制作的是光刻膠時(shí)，需要用曝光的工藝把RDL的內(nèi)部焊盤(pán)打開(kāi)，露出RDL的內(nèi)部焊盤(pán)，當(dāng)制作的是鈍化層時(shí)，則需要通過(guò)光刻和刻蝕的工藝去除RDL的內(nèi)部焊盤(pán)上的鈍化層，露出RDL的內(nèi)部焊盤(pán)；

（b）在內(nèi)部焊盤(pán)上重新制作外部焊盤(pán)，外部焊盤(pán)在扇出型芯片表面做均勻分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，步驟（b）中，所述的外部焊盤(pán)為方形或者圓形。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，所述的方形的邊長(zhǎng)為1um到1000um。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的扇出型芯片互聯(lián)的制作方法，其特征在于，所述的圓形的直徑為1um到1000um。