[發明專利]一種用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層及其制備方法在審
| 申請號： | 202010171141.5 | 申請日： | 2020-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN111233446A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 董淑娟;王軼輝;曹學強;蔣佳寧;鄧龍輝;周鑫 | 申請（專利權）人： | 武漢理工大學 |
| 主分類號： | C04B35/16 | 分類號： | C04B35/16;C04B35/622;C04B35/66 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 李煒 |
| 地址： | 430070 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 陶瓷 復合材料 基體 硅酸 環境 涂層 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將HfO2和SiO2混合，在球磨機上濕混球磨，經干燥、研磨、過篩，然后燒結進行高溫固相反應；
(2)待高溫固相反應結束后，加入去離子水進行配漿，然后球磨，再經噴霧造粒制得HfSiO4粉體材料；
(3)在陶瓷基復合材料基體表面先噴涂一層Si層作為打底層，然后將HfSiO4粉體材料噴涂在打底層表面作為面層，形成多層涂層；
(4)對多層涂層進行熱處理即得環境障涂層。
2.根據權利要求1所述的用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層的制備方法，其特征在于：HfO2和SiO2的比例為1:1～2:1。
3.根據權利要求1所述的用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中球磨時間為24～48h；混合料過篩的目數為100～200目。
4.根據權利要求1所述的用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中燒結溫度為1500～1600℃。
5.根據權利要求1所述的用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中球磨的時間為2～10h。
6.根據權利要求1所述的用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中HfSiO4粉體材料的粒徑為35～125μm。
7.根據權利要求1所述的用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中噴涂為大氣等離子噴涂。
8.根據權利要求1所述的用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中打底層厚度為50～120μm，面層厚度為200～300μm。
9.根據權利要求1所述的用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中熱處理溫度為1300～1600℃，處理時間為3-24h。
10.一種用于陶瓷基復合材料基體的硅酸鉿環境障涂層：采用權利要求1～9任一項所述的方法制備。
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