[發(fā)明專利]一種高質(zhì)量碳化硅晶體的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010171114.8 | 申請日： | 2020-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN111334860B | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉欣宇;袁振洲 | 申請（專利權）人： | 江蘇超芯星半導體有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B25/00 |
| 代理公司： | 南京源點知識產(chǎn)權代理有限公司 32545 | 代理人： | 王佳妹 |
| 地址： | 225000 江蘇省揚州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 質(zhì)量 碳化硅 晶體 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高質(zhì)量碳化硅晶體的制備方法，其特征在于，采用高溫化學氣相沉積法制備碳化硅晶體的過程中通入氯氣，所述氯氣間斷通入，每通入一小時即停止一小時，接著繼續(xù)通入一小時，停止一小時，重復至生長結束，氯氣的流速為200sccm，所述氯氣從反應腔體的上方通入；制備碳化硅晶體的過程中需通入硅源氣體、碳源氣體以及載流子氣體，且反應溫度為2100-2450℃，反應時腔體內(nèi)壓力保持為100-30000pa；所述氯氣從所述反應腔體開始升溫時通入，至所述反應腔體降溫至室溫后停止；所述硅源氣體的流速為20-200sccm，所述碳源氣體的流速為10-100sccm，所述載流子氣體的流速為1-5slm。
2.根據(jù)權利要求1所述的高質(zhì)量碳化硅晶體的制備方法，其特征在于，所述硅源氣體包括SiH4，所述碳源氣體包括CH4、C2H4、C2H6或C3H8，所述載流子氣體包括H2或He。
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