[發明專利]一種應用于燒結爐溫控系統的靜電保護器件

有效

• 申請號: 202010171037.6
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN111370402B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 汪龍;熊擁軍;張忠義;肖迅達
• 申請（專利權）人: 湖南博科瑞新材料有限責任公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 長沙朕揚知識產權代理事務所(普通合伙) 43213
• 代理人: 文立興

1.一種應用于燒結爐溫控系統的靜電保護器件，其特征在于，包括P-SUB區(101)、BN+區(102)、HV-NWell區(103)、第一P-Well區(104)、N-Well區(105)、第二P-Well區(106)、第一P+注入區(107)、第一N+注入區(108)、第二P+注入區(109)、第三P+注入區(110)、第二N+注入區(111)、第四P+注入區(112)、第一場氧隔離區(201)、第二場氧隔離區(202)、第三場氧隔離區(203)、第四場氧隔離區(204)、第五場氧隔離區(205)、第六場氧隔離區(206)、第七場氧隔離區(207)、第一多晶硅虛設柵(208)和第二多晶硅虛設柵(209)；

所述BN+區(102)和HV-NWell區(103)設在所述P-SUB區(101)內，且所述HV-NWell區(103)位于所述BN+區(102)的上方；所述第一P-Well區(104)、所述N-Well區(105)和所述第二P-Well區(106)設置在所述HV-NWell區(103)中，且所述N-Well區(105)的兩側與所述第一P-Well區(104)、第二P-Well區(106)鄰接；

所述第一場氧隔離區(201)、第一P+注入區(107)和第二場氧隔離區(202)、第一N+注入區(108)和第一多晶硅虛設柵(208)以左右連接的方式依次設置在所述第一P-Well區(104)的表面，所述第三場氧隔離區(203)位于第一多晶硅虛設柵(208)的下方，所述第二P+注入區(109)橫跨所述第一P-Well區(104)和所述N-Well區(105)的表面區域，所述第一場氧隔離區(201)依次橫跨所述P-SUB區(101)、HV-NWell區(103)和第一P-Well區(104)的一側；

所述第二P+注入區(109)、第四場氧隔離區(204)和第三P+注入區(110)以左右連接的方式依次設置在所述N-Well區(105)的表面，且所述第三P+注入區(110)橫跨所述第二P-Well區(106)和N-Well區(105)的表面區域；

所述第三P+注入區(110)、第二多晶硅虛設柵(209)、第二多晶硅虛設柵(209)、第六場氧隔離區(206)、所述第四P+注入區(112)和所述第七場氧隔離區(207)以左右連接的方式依次設置在所述第二P-Well區(106)的表面，所述第五場氧隔離區(205)設置在所述第二多晶硅虛設柵(209)的下方，所述第七場氧隔離區(207)的依次橫跨第二P-Well區(106)、HV-NWell區(103)和P-SUB區(101)的另一側；

所述第一P+注入區(107)與所述第一N+注入區(108)連接形成陽極，所述第二N+注入區(111)與所述第四P+注入區(112)連接形成陰極。

2.根據權利要求1所述的應用于燒結爐溫控系統的靜電保護器件，其特征在于，還包括第一金屬層(210)、第二金屬層(211)、第三金屬層(212)、第四金屬層(213)、第五金屬層(301)和第六金屬層(302)，所述第一金屬層(210)的下側與所述第一P+注入區(107)連接，上側與所述第五金屬層(301)的一側連接，所述第二金屬層(211)的下側與所述第一N+注入區(108)連接，上側與第五金屬層(301)的另一側連接；所述第四金屬層(213)的下側與所述第四P+注入區(112)連接，上側與第六金屬層(302)的一側連接，所述第三金屬層(212)的下側與所述第二N+注入區(111)連接，上側與所述第六金屬層(302)的另一側連接。

3.根據權利要求2所述的應用于燒結爐溫控系統的靜電保護器件，其特征在于，所述第一金屬層(210)、第二金屬層(211)、第三金屬層(212)和第四金屬層(213)位于同一金屬層，所述第五金屬層(301)和第六金屬層(302)位于同一金屬層。