[發明專利]一種使用新型斜坡發生器的消除暗電流的電路及其系統

有效

• 申請號: 202010170841.2
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN111399585B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 高菊;蔡化;陳飛;芮松鵬;陳正;夏天
• 申請（專利權）人: 成都微光集電科技有限公司
• 主分類號: H04N5/361
• 分類號: H04N5/361;H04N5/357;H04N5/335
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;馬盼

1.一種新型斜坡發生器，其特征在于，包括復位電容，復位開關、斜坡信號模塊、暗電流校正模塊和運算放大器，其中，所述運算放大器的第一輸入端與所述復位電容的一端、復位開關的一端共同連接至斜坡信號模塊和暗電流校正模塊；所述運算放大器的第二輸入端連接參考信號；所述運算放大器的輸出端同時連接所述復位電容的另一端和復位開關的另一端，并輸出斜坡信號；

所述暗電流校正模塊包括校正電流源和校正開關，所述校正電流源的輸入端輸入暗電流信號，當所述校正開關導通時，所述暗電流校正模塊連接至所述運算放大器的第一輸入端，使得所述運算放大器的輸出端輸出去除暗電流之后的斜坡信號；

其中，所述斜坡信號模塊包括MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3、MOS管P4、MOS管N0、MOS管N1、MOS管N2、電阻R1、開關S11和開關S12，其中，所述MOS管P1、MOS管P2、MOS管P3和MOS管P4的源極連接電源AVDD，所述MOS管N1和MOS管N2的源極接地；所述MOS管P1的柵極同時連接MOS管P2的柵極、MOS管N0的漏極和MOS管P1的漏極，所述MOS管N0的柵極連接所述運算放大器的輸出端，所述MOS管N0的源極連接所述運算放大器的第一輸入端和電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端接地，所述MOS管P2的漏極連接MOS管N2的柵極、MOS管N1的柵極和MOS管N1的漏極；所述MOS管P3的漏極連接MOS管N1的漏極、所述MOS管P3的柵極和開關S11的一端，開關S11的另一端連接MOS管P4的柵極和開關S12的一端，所述開關S12的另一端連接電源AVDD，所述MOS管P4的漏極連接斜坡電流信號I_RAMP；其中，開關S11和開關S12的控制信號為互補信號；

所述暗電流校正模塊通過開關S13連接至所述運算放大器；所述暗電流校正模塊包括MOS管P5、MOS管P6、MOS管P7、MOS管N3、MOS管N4、校正開關S14和開關S15，所述MOS管P5、MOS管P6和MOS管P7的源極連接至電源AVDD，所述MOS管N3和MOS管N4的源極接地；所述MOS管P5的柵極連接開關S13的一端，開關S13的另一端連接MOS管N0的漏極，所述MOS管P5的漏極連接至MOS管N3的柵極、MOS管N3的漏極和MOS管N4的柵極；所述MOS管P6的柵極連接MOS管P6的漏極、MOS管N4的漏極和校正開關S14的一端，所述校正開關S14的另一端連接開關S15的一端和MOS 管P7的柵極，所述開關S15的另一端連接電源AVDD；所述MOS管P7的漏極連接暗電流信號I_DARK；其中，校正開關S14和開關S15的控制信號為互補信號。

2.一種使用新型斜坡發生器的消除暗電流的電路，其特征在于，采用權利要求1所述的斜坡發生器，包括：

像素結構，其輸出端連接第一采樣電容的一端；

第一采樣電容，其另一端與第一開關的一端共同連接至比較器的第一輸入端，第一開關的另一端連接信號端Vcm；

第二采樣電容，其一端與斜坡發生器連接，另一端與第二開關的一端共同連接至比較器的第二輸入端，第二開關的另一端連接信號端Vcm；

比較器的第一輸出端連接第三采樣電容的一端，其第二輸出端連接第四采樣電容的一端；

第三采樣電容的另一端與放大器的第一輸入端、第三開關的一端共同連接；

第四采樣電容的另一端與所述放大器的第二輸入端、第四開關的一端共同連接；

所述放大器的第一輸出端與第三開關的另一端連接；所述放大器的第二輸出端與第四開關的另一端共同連接至反向二極管的輸入端；反向二極管的輸出端連接計數器的輸入端；計數器連接有EN_COUNT信號端和RST_COUNT信號端，并具有輸出信號端。

3.根據權利要求2所述的消除暗電流的電路，其特征在于，所述像素結構包括：

第一晶體管，其柵端連接信號TX，源端通過二極管接地；

第二晶體管，其柵端連接信號RX，其源端與第一晶體管的漏端、第三晶體管的柵端相連接至節點Vfd；其漏端與第三晶體管的漏端相連接；

第三晶體管，其源端與第四晶體管的漏端連接；

第四晶體管，其柵端連接信號SEL，其源端與第一采樣電容的一端共同連接并接地。