[發明專利]一種凹槽芯片放置的封裝方法

有效

• 申請號: 202010170825.3
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN111370336B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 郁發新;張兵;馮光建
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 陳升華

1.一種凹槽芯片放置的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

A：在硅轉接板表面制作緩沖層，并去除部分區域的緩沖層，在去除緩沖層的部分區域中，在硅轉接板表面挖空腔，形成凹槽，得到帶有凹槽和指定區域緩沖層的硅轉接板；

B：在硅轉接板凹槽內填膠，把芯片粘貼在帶有膠體的凹槽內，把帶有加熱功能的底座跟硅轉接板互聯；

C：將蓋板壓在緩沖層上，對蓋板施加壓力使緩沖層變薄，同時對硅轉接板加熱，使緩沖層軟化后繼續變薄，根據時間和壓力控制，緩沖層厚度可以達到不同的厚度，去除蓋板和緩沖層，得到芯片高度可控的嵌入式轉接板。

2.根據權利要求1所述的凹槽芯片放置的封裝方法，其特征在于，步驟A中，所述的緩沖層的材料為光刻膠、環氧樹脂、熱固膠、玻璃粉或無機材料，所述的緩沖層的厚度范圍在1um到100um。

3.根據權利要求1所述的凹槽芯片放置的封裝方法，其特征在于，步驟A中，所述的去除部分區域的緩沖層通過光刻和刻蝕的工藝留下緩沖層的指定區域。

4.根據權利要求1所述的凹槽芯片放置的封裝方法，其特征在于，步驟A中，在硅轉接板表面挖空腔采用光刻和刻蝕工藝，凹槽的邊長范圍在1um到10000um，凹槽的深度在10um到1000um。