[發明專利]成膜裝置的清洗方法有效
| 申請號： | 202010170282.5 | 申請日： | 2020-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN111719137B | 公開（公告）日： | 2023-09-05 |
| 發明（設計）人： | 小川淳;和田博之;栗林昭博;小山峻史 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 裝置 清洗 方法 | ||
本發明提供一種成膜裝置的清洗方法。該成膜裝置的清洗方法能夠高效地去除沉積于處理容器的內部的氮化硅膜，并且能夠抑制由石英形成的構件的損壞。所述成膜裝置的清洗方法包括利用等離子體化后的清洗用氣體對沉積氮化硅膜的處理容器的內部進行清洗的工序，所述清洗用氣體包含含氟氣體和氧氣。
技術領域
本公開涉及一種成膜裝置的清洗方法。
背景技術
在專利文獻1中記載了一種通過對基板交替地供給互相反應的至少兩種反應氣體來在基板形成反應生成物的ALD(Atomic?Layer?Deposition：原子層沉積)法。在專利文獻1中，通過使繞旋轉臺的旋轉中心水平地配置的基板與旋轉臺一同旋轉，來將該基板送至第一處理區域、第二處理區域、第三處理區域以及第四處理區域。在第一處理區域中，向基板供給含硅氣體(例如二氯硅烷氣體)，使含硅氣體吸附于基板來在基板形成含硅層。在第二處理區域、第三處理區域以及第四處理區域中，向基板供給氮化用氣體(例如氨氣和氫氣的混合氣體)。使氮化用氣體等離子體化，來使含硅層氮化。其結果是，形成氮化硅膜。
專利文獻1：日本特開2017-175106號公報
發明內容
本公開的一個方式提供一種能夠高效地去除沉積于處理容器的內部的氮化硅膜并且能夠抑制由石英形成的構件的損壞的技術。
本公開的一個方式所涉及的成膜裝置的清洗方法包括利用等離子體化后的清洗用氣體對沉積氮化硅膜的處理容器的內部進行清洗的工序，所述清洗用氣體包含含氟氣體和氧氣。
根據本公開的一個方式，能夠高效地去除沉積于處理容器的內部的氮化硅膜并且能夠抑制由石英形成的構件的損壞。
附圖說明
圖1是一個實施方式所涉及的成膜裝置的截面圖。
圖2是表示一個實施方式所涉及的處理容器的內部構造的俯視圖。
圖3是一個實施方式所涉及的供排氣單元的截面圖。
圖4是一個實施方式所涉及的供排氣單元的俯視圖。
圖5是表示一個實施方式所涉及的成膜方法的流程圖。
圖6是表示一個實施方式所涉及的在成膜時向旋轉臺上供給的氣體的種類的俯視圖。
圖7是表示一個實施方式所涉及的清洗方法的流程圖。
圖8是表示通過圖7所示的旋轉臺的氟清洗(工序S201)向旋轉臺供給的氣體的一例的俯視圖。
圖9是表示圖7所示的旋轉臺的氟清洗(工序S201)中的旋轉臺的鉛垂方向位置的一例的截面圖。
圖10是表示通過圖7所示的供排氣單元的氟清洗(工序S204)向旋轉臺供給的氣體的一例的俯視圖。
圖11是表示圖7所示的供排氣單元的氟清洗(工序S204)中的旋轉臺的鉛垂方向位置的一例的截面圖。
圖12是表示變形例所涉及的清洗方法的流程圖。
具體實施方式
下面，參照附圖來說明本公開的實施方式。此外，在各附圖中，對相同或對應的結構標注相同或對應的標記，有時省略說明。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
