[發明專利]顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010169515.X | 申請日: | 2020-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN111430411B | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 王聰 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 張育英 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括襯底基板,所述襯底基板包括:
主顯示區,包括第一邊緣和第二邊緣,所述第一邊緣沿第一方向延伸,所述第二邊緣沿第二方向延伸;所述第一方向與所述第二方向相交;
第一輔顯示區,位于所述第一邊緣遠離所述主顯示區的一側;位于所述第一輔顯示區的所述襯底基板能夠相對于位于所述主顯示區的所述襯底基板進行彎折;所述第一輔顯示區包括與所述第一邊緣相交的第三邊緣;
第二輔顯示區,位于所述第二邊緣遠離所述主顯示區的一側;位于所述第二輔顯示區的所述襯底基板能夠相對于位于所述主顯示區的所述襯底基板進行彎折;所述第二輔顯示區包括與所述第二邊緣相交的第四邊緣和第五邊緣,所述第四邊緣位于所述第二輔顯示區靠近所述第一輔顯示區的一側,所述第五邊緣位于所述第二輔顯示區遠離所述第一輔顯示區的一側;
在展開狀態下,位于所述主顯示區、所述第一輔顯示區和所述第二輔顯示區的所述襯底基板所在平面處于同一平面,且,所述第三邊緣與所述第四邊緣相交形成的遠離所述主顯示區一側的夾角為銳角;
所述襯底基板還包括第一非顯示區,所述第一非顯示區與所述第二輔顯示區相鄰,且,所述第一非顯示區位于所述第二輔顯示區遠離所述主顯示區的一側;
所述顯示面板還包括子像素行、信號線和多個級聯的移位寄存單元;
所述主顯示區、所述第一輔顯示區和所述第二輔顯示區均包括所述子像素行和所述信號線,且,在所述展開狀態下,所述子像素行和所述信號線均沿所述第二方向排列;所述子像素行與所述信號線電連接;所述子像素行包括多個子像素;
所述移位寄存單元位于所述第一非顯示區;
位于所述第一輔顯示區的所述信號線與至少部分所述移位寄存單元電連接。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
在所述展開狀態下,所述第三邊緣與所述第四邊緣相交形成的遠離所述主顯示區一側的夾角為45°。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一非顯示區包括沿所述第二方向排列的第一子非顯示區和第二子非顯示區,所述第二子非顯示區位于所述第一子非顯示區靠近所述第四邊緣的一側;
第二輔顯示區包括沿所述第二方向排列的第一子輔顯示區和第二子輔顯示區,所述第二子輔顯示區位于所述第一子輔顯示區靠近所述第四邊緣的一側;
所述第一輔顯示區包括與所述主顯示區相鄰的第三子輔顯示區,所述第三子輔顯示區的形狀為梯形;所述第三邊緣為所述梯形的腰;所述第一邊緣為所述梯形的上底;沿所述第一方向,所述梯形的上底的長度小于所述梯形的下底的長度;
位于所述主顯示區的所述信號線通過位于所述第一子輔顯示區的所述信號線與所述第一子非顯示區中的所述移位寄存單元電連接;
位于所述第三子輔顯示區的至少部分所述信號線通過所述第二子輔顯示區的所述信號線與所述第二子非顯示區中的所述移位寄存單元電連接。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述第二子非顯示區中所述移位寄存單元的數量大于等于位于所述第三子輔顯示區中的所述子像素行的數量,所述第三子輔顯示區中所述子像素行的數量大于等于所述第二子輔顯示區中所述子像素行的數量。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,
在所述展開狀態下,沿所述第二方向,所述第二子非顯示區中相鄰兩個所述移位寄存單元的間距小于所述第一子非顯示區中相鄰兩個所述移位寄存單元的間距。
6.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述第三子輔顯示區中相鄰兩個所述子像素行的間距與所述第二子輔顯示區中相鄰兩個所述子像素行的間距相等;
所述第二子輔顯示區沿所述第二方向的最大長度大于等于所述第三子輔顯示區沿所述第二方向的長度。
7.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述第三子輔顯示區中相鄰兩個所述子像素行的間距大于所述第二子輔顯示區中相鄰兩個所述子像素行的間距;
所述第二子輔顯示區沿所述第二方向的最大長度小于等于所述第三子輔顯示區沿所述第二方向的長度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





