[發(fā)明專(zhuān)利]一種基片集成波導(dǎo)饋電的寄生貼片陣列天線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010168847.6
• 申請(qǐng)日: 2020-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111244624B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井慶豐;別雨軒;朱忠博
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京航空航天大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01Q1/38
• 分類(lèi)號(hào): H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q9/04;H01Q13/10;H01Q21/00
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237
• 代理人: 賀翔

1.一種基片集成波導(dǎo)饋電的寄生貼片陣列天線，其特征在于：包括第一介質(zhì)板（1）、第二介質(zhì)板（2）、第三介質(zhì)板（3）和第四介質(zhì)板（4），所述第一介質(zhì)板（1）位于第二介質(zhì)板（2）上方，第二介質(zhì)板（2）位于第三介質(zhì)板（3）上方，第三介質(zhì)板（3）位于第四介質(zhì)板（4）上方，所述第一介質(zhì)板（1）上方排列有呈兩行兩列排布的四個(gè)環(huán)形貼片（5），第二介質(zhì)板（2）上方排列有呈兩行兩列排布的四個(gè)主輻射貼片（6），主輻射貼片（6）一一對(duì)應(yīng)地位于環(huán)形貼片（5）的正下方，所述第三介質(zhì)板（3）的上表面為第一金屬層（7），第一金屬層（7）上開(kāi)設(shè)有呈兩行兩列排布的四個(gè)第一縫隙（9），第一縫隙（9）一一對(duì)應(yīng)地位于主輻射貼片（6）的正下方，在第三介質(zhì)板（3）中設(shè)置有貫通第三介質(zhì)板（3）的第一金屬通孔（8），第四介質(zhì)板（4）的上表面部分為第二金屬層（10），下表面為第三金屬層（12），所述第二金屬層（10）即為第三介質(zhì)板（3）的下表面，所述第二金屬層（10）上開(kāi)有兩個(gè)第二縫隙（14），所述第二金屬層（10）與第四介質(zhì)板（4）邊緣之間設(shè)有微帶線（11），在第四介質(zhì)板（4）中設(shè)置有貫通第四介質(zhì)板（4）的第二金屬通孔（13）；

所述第三介質(zhì)板（3）的第一金屬通孔（8）圍成兩個(gè)平行的封閉矩形狀，第一金屬層（7）上的第一縫隙（9）按2個(gè)一組，分別位于兩個(gè)矩形中，沿矩形中線對(duì)稱(chēng)分布；

所述第四介質(zhì)板（4）上的第二金屬層（10）上的兩個(gè)第二縫隙（14）位于第三介質(zhì)板（3）的第一金屬通孔（8）所圍成的矩形長(zhǎng)邊中間位置正下方；

所述第四介質(zhì)板（4）的第二金屬通孔（13）的T形接口處有一第三金屬通孔（15）。

2.如權(quán)利要求1所述的基片集成波導(dǎo)饋電的寄生貼片陣列天線，其特征在于：所述環(huán)形貼片（5）為矩形環(huán)。

3.如權(quán)利要求1所述的基片集成波導(dǎo)饋電的寄生貼片陣列天線，其特征在于：所述主輻射貼片（6）為正方形。

4.如權(quán)利要求1所述的基片集成波導(dǎo)饋電的寄生貼片陣列天線，其特征在于：所述第一介質(zhì)板（1）上每行和每列的矩形環(huán)之間間距為0.7-2倍介質(zhì)波長(zhǎng)。

5.如權(quán)利要求1所述的基片集成波導(dǎo)饋電的寄生貼片陣列天線，其特征在于：所述第一縫隙（9）和第二縫隙（14）均為橫向矩形縫隙，且其尺寸相同。

6.如權(quán)利要求5所述的基片集成波導(dǎo)饋電的寄生貼片陣列天線，其特征在于：所述第四介質(zhì)板（4）上的微帶線（11）為矩形微帶線。

7.如權(quán)利要求5所述的基片集成波導(dǎo)饋電的寄生貼片陣列天線，其特征在于：所述第四介質(zhì)板（4）的第二金屬通孔（13）輸入端口的寬度不處處相等。

8.如權(quán)利要求7所述的基片集成波導(dǎo)饋電的寄生貼片陣列天線，其特征在于：所述第一介質(zhì)板（1）、第二介質(zhì)板（2）、第三介質(zhì)板（3）的材料均為percelain，第四介質(zhì)板（4）的材料為Be_O。