[發明專利]存儲單元的數據讀取方法在審
| 申請號： | 202010168359.5 | 申請日： | 2020-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN113395465A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發明（設計）人： | 趙立新;喬勁軒;黃詩劍 | 申請（專利權）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H04N5/369 | 分類號： | H04N5/369;H04N5/378;H04N5/357;G11C11/417 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 單元 數據 讀取 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種存儲單元的數據讀取方法，其特征在于，所述存儲單元在讀取數據時，讀取電路對位線充電與存儲單元對位線放電進行并行操作，以提升數據讀取性能。
2.根據權利要求1所述的存儲單元的數據讀取方法，其特征在于，通過設置讀取電路充電能力與存儲單元放電能力的比例，加大位線之間的目標電壓差，以提升數據讀取速度，提高數據讀取能力。
3.根據權利要求1所述的存儲單元的數據讀取方法，其特征在于，在充電階段，電源通過充電管給位線充電；在放電階段，位線上有放電電流，兩條位線上放電電流的大小取決于存儲單元內存儲的值；兩條位線之間連接一平衡管。
4.根據權利要求3所述的存儲單元的數據讀取方法，其特征在于，所述平衡管在數據讀取過程中處于常通狀態。
5.根據權利要求4所述的存儲單元的數據讀取方法，其特征在于，在充電階段平衡管加快充電速度，在放電階段平衡管限制所述位線之間的目標電壓差。
6.根據權利要求3所述的存儲單元的數據讀取方法，其特征在于，所述充電管為NMOS管，其充電速度與位線電壓相關，位線電壓較低時充電速度較快。
7.根據權利要求6所述的存儲單元的數據讀取方法，其特征在于，所述NMOS管在放電階段限制所述位線的最低電壓，以避免連續讀取相同數據后所述位線被放電到更低電位。
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