[發明專利]一種電子設備的制備方法及裝置、存儲介質有效
| 申請號: | 202010167426.1 | 申請日: | 2020-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN111370450B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 賈玉虎 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 侯艷華;張穎玲 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電子設備 制備 方法 裝置 存儲 介質 | ||
本發明實施例公開了一種電子設備的制備方法及裝置、存儲介質,包括將異方性導電膠膜的第一面分別與第一低溫多晶硅玻璃的側面和第二低溫多晶硅玻璃的側面連接,其中,第一低溫多晶硅玻璃的下表面和第二低溫多晶硅玻璃的上表面連接;斷開第一低溫多晶硅玻璃與第二低溫多晶硅玻璃之間的連接,并斷開第一導電膠膜和第二導電膠膜之間的連接,第一導電膠膜為與第一低溫多晶硅玻璃的側面連接的部分異方性導電膠膜,第二導電膠膜為與第二低溫多晶硅玻璃的側面連接的部分異方性導電膠膜;將覆晶薄膜與第一導電膠膜的第二面連接,第一導電膠膜的第一面與第一低溫多晶硅玻璃的側面連接,以完成電子設備的制備過程。
技術領域
本發明涉及窄邊框顯示技術領域,尤其涉及一種電子設備的制備方法及裝置、存儲介質。
背景技術
隨著電子技術的不斷發展,電子設備的顯示屏邊框越來越窄,即電子設備的低溫多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon,LTPS)玻璃與encap玻璃之間的單層區的寬度就越小。
現有技術是將異方性導電膠膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)貼附到覆晶薄膜(Chip OnFilm,COF)上,再對貼附在COF上的ACF進行三邊內縮設計,然后通過三邊內縮設計后的ACF將COF貼附在單層區的LTPS上,當貼附在COF上的ACF三邊內縮過度時,ACF無法完全填充單層區的LTPS與COF之間的空隙,COF容易脫離單層區的LTPS,導致LTPS與COF之間無法通過ACF進行電信號傳遞,使得電子設備的顯示屏無法正常顯示,降低了電子設備的顯示屏幕顯示時的穩定性。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明實施例期望提供一種電子設備的制備方法及裝置、存儲介質,能夠提高電子設備的顯示屏幕顯示時的穩定性。
本發明的技術方案是這樣實現的:
本申請實施例提供了一種電子設備的制備方法,所述方法包括:
將異方性導電膠膜的第一面分別與第一低溫多晶硅玻璃的側面和第二低溫多晶硅玻璃的側面連接,其中,所述第一低溫多晶硅玻璃的下表面和所述第二低溫多晶硅玻璃的上表面連接;
斷開所述第一低溫多晶硅玻璃與所述第二低溫多晶硅玻璃之間的連接,并斷開第一導電膠膜和第二導電膠膜之間的連接,所述第一導電膠膜為與所述第一低溫多晶硅玻璃的側面連接的部分異方性導電膠膜,所述第二導電膠膜為與所述第二低溫多晶硅玻璃的側面連接的部分異方性導電膠膜;
將覆晶薄膜與所述第一導電膠膜的第二面連接,所述第一導電膠膜的第一面與所述第一低溫多晶硅玻璃的側面連接,以完成所述電子設備的制備過程。
在上述方案中,第一低溫多晶硅玻璃的下表面和所述第二低溫多晶硅玻璃的上表面連接,包括:
將所述第一低溫多晶硅玻璃的下表面與所述第二低溫多晶硅玻璃的上表面之間部分區域進行連接;
和/或,將所述第一低溫多晶硅玻璃的下表面與所述第二低溫多晶硅玻璃的上表面之間所有區域進行連接。
在上述方案中,異方性導電膠膜的寬度為根據所述第一低溫多晶硅玻璃和所述第二低溫多晶硅玻璃確定的寬度。
在上述方案中,所述覆晶薄膜包括集成電路。
在上述方案中,所述異方性導電膠膜包括導電粒子。
在上述方案中,所述第一低溫多晶硅玻璃為低功耗的顯示玻璃。
在上述方案中,所述第二低溫多晶硅玻璃為低功耗的顯示玻璃。
本申請實施例提供了一種電子設備的制備裝置,包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





