[發明專利]顯示面板及顯示面板的制作方法在審
| 申請號: | 202010167068.4 | 申請日: | 2020-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN111341814A | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發明(設計)人: | 鄭介鑫 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底基板;
遮光層,設置于所述襯底基板上,包括陣列排布的多個遮光圖案;
緩沖層,設置于所述襯底基板上并覆蓋所述遮光層;
薄膜晶體管陣列層,包括多個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括有源層、柵極線層、源極和漏極;以及
顯示器件層,設置于所述薄膜晶體管陣列層遠離所述襯底基板的一側上,包括層疊設置的陽極、發光層和陰極;
其中,所述顯示面板還包括多個與所述源極同層設置的第一電極,所述第一電極在所述襯底基板上的正投影區域與所述陽極在所述襯底基板上的正投影區域重疊,所述第一電極與所述陽極共同構成存儲電容。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括柵極絕緣層和層間絕緣層,所述柵極線層設置于所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一側,所述第一電極通過貫穿所述層間絕緣層的過孔與所述柵極線層連接。
3.如權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括多條與遮光圖案同層設置的信號線,所述薄膜晶體管通過貫穿所述層間絕緣層和所述緩沖層的過孔與所述信號線連接。
4.如權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述信號線包括數據信號線、電源高壓信號線和感測信號線,所述薄膜晶體管包括驅動薄膜晶體管和開關薄膜晶體管,所述驅動薄膜晶體管的源極連接所述電源高壓信號線,所述驅動薄膜晶體管的漏極連接所述陽極,所述驅動薄膜晶體管的柵極連接所述第一電極。
5.如權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括陣列排布的多個子像素區域,所述子像素區域包括子像素驅動電路,所述子像素驅動電路包括一所述驅動薄膜晶體管、一所述存儲電容和至少兩個所述開關薄膜晶體管。
6.如權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述子像素驅動電路包括第一開關薄膜晶體管和第二開關薄膜晶體管,所述第一開關薄膜晶體管的源極連接所述數據信號線,所述第一開關薄膜晶體管的漏極與所述驅動薄膜晶體管的柵極連接,所述第一開關薄膜晶體管的柵極接入第一掃描控制信號,所述第二開關薄膜晶體管的源極連接所述驅動薄膜晶體管的漏極,所述第二開關薄膜晶體管的漏極連接所述感測信號線,所述第二開關薄膜晶體管的柵極接入第二掃描控制信號。
7.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供襯底基板,在所述襯底基板上沉積遮光金屬材料,刻蝕所述遮光金屬材料形成陣列排布的多個遮光圖案;
在所述襯底基板上形成緩沖層,所述緩沖層覆蓋所述遮光圖案;
在所述緩沖層遠離所述襯底基板的一側上依次沉積形成有源層、柵極絕緣層和柵極線層;
在所述緩沖層遠離所述襯底基板的一側上形成層間絕緣層,所述層間絕緣層覆蓋所述柵極線層、柵極絕緣層和所述有源層;
在所述層間絕緣層上沉積源漏極金屬材料,刻蝕所述源漏極金屬材料,形成源極、漏極以及第一電極;
在所述層間絕緣層遠離所述緩沖層的一側形成鈍化保護層;以及
在所述鈍化保護層上依次形成陽極、發光層和陰極,所述陽極在所述襯底基板上的正投影區域與所述第一電極在所述襯底基板上的正投影區域重疊,所述陽極與所述第一電極共同構成存儲電容。
8.如權利要求7所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,刻蝕所述遮光金屬材料形成所述遮光圖案的同時,還形成多條間隔設置的信號線。
9.如權利要求8所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述信號線包括數據信號線、電源高壓信號線和感測信號線,所述源極和所述漏極分別通過貫穿所述層間絕緣層和所述緩沖層的過孔與所述信號線連接。
10.如權利要求9所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述遮光圖案和所述信號線均為銅、鉬的疊層結構或者為銅、鉬、鈦的疊層結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





