[發(fā)明專利]一種使用低溫等離子技術(shù)調(diào)節(jié)沸石分子篩晶體形貌與結(jié)構(gòu)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010167067.X
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN113387370B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喻學(xué)鋒;李睿;江敏;黃逸凡
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
• 主分類號: C01B39/54
• 分類號: C01B39/54;C01B37/08
• 代理公司: 北京市誠輝律師事務(wù)所 11430
• 代理人: 李玉娜

1.一種使用低溫常壓等離子射流技術(shù)調(diào)控沸石分子篩前驅(qū)體種類以及晶體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）按照已報道的目標(biāo)沸石分子篩配方選擇以下所需要的組份配置制備混合體系：礦化劑、鋁源、硅源、磷源、堿金屬源、結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑、溶劑，按照配方所需要的老化條件進(jìn)行老化；

2）選用合適的低溫等離子發(fā)生裝置，處理1）中經(jīng)老化后的制備混合體系，處理時間在1小時以內(nèi)；

3）按原配方的加熱方式對2）中處理后體系進(jìn)行完整的升溫制備流程，等離子處理將調(diào)節(jié)體系中前驅(qū)體的種類和/或取向，影響體系結(jié)晶路線，改變產(chǎn)品晶體結(jié)構(gòu)；

其中，所述鋁源為氧化鋁；所述硅源為二氧化硅；所述磷源為五氧化二磷；

所述礦化劑為氫氧化鉀或四乙基氫氧化銨；所述結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑為四乙基氫氧化銨；所述堿金屬源為氫氧化鉀；所述溶劑為水；

所述合適的低溫等離子發(fā)生裝置是指能產(chǎn)生足夠長的低溫常壓等離子射流束，可接觸到容器中的溶液液面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控方法，其特征在于，所述等離子體發(fā)生氣體為空氣、氬氣、氦氣、氮?dú)狻⒀鯕狻睔狻⒍趸家约叭我鈨煞N或多種上述氣體的混合氣中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的調(diào)控方法，其特征在于，對射流束較短的空氣、氮?dú)狻⒀鯕猓褂闷桨錎BD發(fā)生裝置，其他射流束較長的氣體使用管狀發(fā)生裝置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)控方法，其特征在于，等離子發(fā)生器輸入電壓為1~50 V，輸入電流為0.5~10 A，氣體流量范圍為0.1-5 L/min。

5.權(quán)利要求1-4任一項所述的調(diào)控方法獲得的結(jié)構(gòu)改變的前驅(qū)體以及最終沸石分子篩晶體產(chǎn)品。