[發(fā)明專利]一種晶粒間粘合劑的去除方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010166325.2
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN111446160B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)立巍;李景賢;陳政勛
• 申請（專利權(quán)）人: 紹興同芯成集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304;H01L21/78;H01L21/02
• 代理公司: 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357
• 代理人: 王依

1.一種晶粒間粘合劑的去除方法，其特征在于，去除方法包括以下步驟：

S1：正面切割

對晶圓(1)進(jìn)行切割；

S2：一次固定

采用粘合劑(3)將晶圓(1)切割的正面鍵合在玻璃載板(2)上；

S3：減薄

對切割后的晶圓(1)背面進(jìn)行減薄；

S4：中間工藝

背面黃光，離子注入 ,光阻去除，退火工藝；

S5：粘合劑(3)去除

采用氧氣電漿蝕刻相鄰晶粒(4)之間的粘合劑(3)，通過側(cè)蝕刻在晶粒(4)與玻璃載板(2)之間的粘合劑(3)上形成凹槽(6)；

S6：金屬沉積工藝

通過濺鍍、蒸鍍、化鍍或電鍍對晶粒(4)的減薄面進(jìn)行金屬沉積工藝；

S7:二次固定

將減薄面固定在UV膜框(5)上，UV膜框(5)上設(shè)有UV型膠膜；

S8：脫離玻璃載板(2)

采用鐳射或熱分解的方式進(jìn)行解鍵合，將晶圓(1)與玻璃載板(2)脫離，此時(shí)晶粒(4)粘合在UV膜框(5)上；

S9：溶劑清洗

清洗晶粒(4)上殘留的粘合劑(3)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶粒間粘合劑的去除方法，其特征在于，所述切割的方法為金剛石切割、激光切割或等離子切割。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶粒間粘合劑的去除方法，其特征在于，所述晶圓(1)切割時(shí)從晶圓(1)的正面進(jìn)行切割，切割至(1.05X~1.3X)處 ,X為預(yù)計(jì)最后晶圓(1)減薄完成后的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶粒間粘合劑的去除方法，其特征在于，所述減薄后相鄰的晶粒之間完全分離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶粒間粘合劑的去除方法，其特征在于，所述一次固定的粘合劑(3)通過UV鍵合將晶圓(1)和玻璃載板(2)粘合在一起，溫度要求為50-200℃，使用的時(shí)間為30分鐘以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶粒間粘合劑的去除方法，其特征在于，所述一次固定的粘合劑(3)通過加熱鍵合將晶圓(1)和玻璃載板(2)粘合在一起 ,溫度要求為150-300℃，使用的時(shí)間為30分鐘以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶粒間粘合劑的去除方法，其特征在于，所述一次減薄采用的方法為蝕刻或研磨。