[發明專利]反向電壓40V或60V橋式整流電路的集成制作方法

有效

• 申請號: 202010166234.9
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN111244037B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 張志向;鄧春茂
• 申請（專利權）人: 天水天光半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/8222
• 分類號: H01L21/8222;H01L27/08;H02M7/06
• 代理公司: 蘭州錦知源專利代理事務所(普通合伙) 62204
• 代理人: 勾昌羽

1.反向電壓40V或60V橋式整流電路的集成制作方法，其特征在于步驟為：

a、襯底硅片清洗:襯底硅片采用體積比為NH₃H₂O:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的清洗液和HCl:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的清洗液在75±5℃各清洗10分鐘，清洗后的襯底硅片沖水10±1分鐘，甩干后待用；

b、初始氧化：完成步驟a的襯底硅片進行初始氧化工藝，首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口，在750±3℃通入氮氣，氮氣通入量每分鐘6±1升，氮氣通入時長30±1分鐘；溫度從750℃升至1050℃，溫度保持在1050℃±3℃，停止通氮氣改通氧氣；氧氣通入20±1分鐘后，改為通氧氣、氫氣進行氫氧合成，氫氧合成時間為240±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，氫氣通入速度為每分鐘6.5±1升；氫氧合成結束后再通入氧氣20±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分鐘，其中三氯乙烷每分鐘為80±1毫升；再通干氧120±1分鐘，溫度由1050℃降到750℃；取下磨口，出石英舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取硅片，工藝結束；

c、埋層光刻：對完成步驟b的具有氧化層的襯底硅片進行光刻，其步驟為：

①涂膠：光刻膠粘度為100±1cp，涂膠厚度為

②前烘：將涂膠后的襯底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分鐘；

③對位：在襯底硅片上設置掩膜版，將設置好的掩膜版的襯底硅片在光刻機的汞燈下曝光22±1秒，使掩膜版圖形成像到襯底硅片表面；

④顯影、定影：先用二甲苯顯影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；

⑤堅膜：將定影后的襯底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分鐘；

⑥氧化層腐蝕：將堅膜的襯底硅片用體積比為NH₄F：HF＝6：1的腐蝕液腐蝕10±1分鐘；

⑦去膠：將氧化層腐蝕后的襯底硅片用體積比為H₂SO₄：H₂O₂＝3：1浸泡液浸泡10±1分鐘去除光刻膠；

d、注入：完成步驟c埋層光刻后進行注入，砷注入劑量為5×10¹⁵cm^-2，能量為50Kev；

e、砷退火：將完成步驟d砷注入的晶片放入石英管中，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口，在750±3℃通入氮氣，氮氣通入量每分鐘4±1升，通氮氣時間80±1分鐘，溫度從750℃升至1200℃，溫度保持在1200±3℃；停止通氮氣改通氧氣，氧氣通入90±1分鐘后，其中氧氣通入速度為每分鐘0.4±0.1升，改為通氮氣，通氮氣時間為240±1分鐘，氮氣通入速度為每分鐘0.4±0.1升，溫度由1200℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工藝結束；

f、漂片：將完成步驟e砷退火的晶片放入體積比為NH₄F：HF＝6：1的液體中漂15±1分鐘；離子水溢流沖水10±1分鐘，甩干；

g、清洗：將完成步驟f的晶片放入體積比HCl:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的清洗液，在75±5℃清洗10分鐘，清洗后的襯底晶片沖水10±1分鐘，甩干后待用；

h、初始氧化：完成步驟g的襯底硅片進行初始氧化工藝，首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s；進舟結束，蓋好磨口，在750±3℃通入氮氣，氮氣通入量每分鐘6±1升，通氮氣時間30±1分鐘，溫度從750℃升至1050℃，溫度保持在1050℃±3℃；停止通氮氣改通氧氣，氧氣通入20±1分鐘后，改為通氧氣、氫氣進行氫氧合成，氫氧合成時間為240±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，氫氣通入速度為每分鐘6.5±1升；氫氧合成結束后再通入氧氣20±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分鐘，其中三氯乙烷每分鐘為80±1毫升；再通干氧120±1分鐘，溫度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工藝結束；

i、下隔離光刻：對完成步驟h的具有氧化層的襯底硅片進行光刻，其步驟為：

①涂膠：光刻膠粘度為100±1cp，涂膠厚度為

②前烘：將涂膠后的襯底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分鐘；

③對位：在襯底硅片上設置掩膜版，將設置好的掩膜版的襯底硅片在光刻機的汞燈下曝光22±1秒，使掩膜版圖形成像到襯底硅片表面；

④顯影、定影：先用二甲苯顯影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；

⑤堅膜：將定影后的襯底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分鐘；

⑥氧化層腐蝕：將堅膜的襯底硅片用體積比為NH₄F：HF＝6：1的腐蝕液腐蝕10±1分鐘；

⑦去膠：將氧化層腐蝕后的襯底硅片用體積比為H₂SO₄：H₂O₂＝3：1浸泡液浸泡10±1分鐘去除光刻膠；

j、注入：完成步驟i下隔離光刻后進行注入硼注入劑量為8×10¹⁴cm^-2-5×10¹⁵cm^-2，能量為50Kev；

k、下隔離推結：首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口；在750±3℃通入氮氣，氮氣每分鐘6±1升，通氮氣時間30±1分鐘，溫度從750℃升至1050℃，溫度保持在1050℃±3℃；停止通氮氣改通氧氣10分鐘后，改為通氧氣、氫氣進行氫氧合成，氫氧合成時間為20±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，氫氣通入速度為每分鐘6.5±1升；氫氧合成結束后溫度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工藝結束；

m、漂片：將完成步驟k的晶片放入體積比為NH₄F：HF＝6：1液體中漂15±1分鐘；離子水溢流沖水10±1分鐘，甩干；

n、清洗：將完成步驟m的晶片放入體積比為HCl:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的清洗液在75±5℃清洗10分鐘，清洗后的襯底晶片沖水10±1分鐘，甩干后待用；

o、外延:將完成步驟n的晶片放入外延爐石墨舟，蓋好鐘罩，溫度升到1080±3℃，生長速率0.5um/min；外延厚度6.5-7.5um，電阻率1.0Ωcm-1.4Ωcm，溫度降到700±3℃，通入氮氣等待外延爐鐘罩自動打開；取片；測試外延厚度6.5-7.5um，電阻率1.0Ωcm-1.4Ωcm范圍，工藝結束；

P、襯底硅片清洗:將完成步驟o的襯底硅片采用體積比為NH₃H₂O:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的清洗液和體積比為HCl:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的清洗液在75±5℃各清洗10分鐘，清洗后的襯底硅片沖水10±1分鐘，甩干后待用；

Q、初始氧化：完成步驟P的襯底硅片進行初始氧化工藝，首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口；在750±3℃通入氮氣，氮氣每分鐘6±1升，通氮氣時間30±1分鐘，溫度從750℃升至1050℃，溫度保持在1050℃±3℃；停止通氮氣改通氧氣，氧氣通入20±1分鐘后，改為通氧氣、氫氣進行氫氧合成，氫氧合成時間為240±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，氫氣通入速度為每分鐘6.5±1升；氫氧合成結束后再通入氧氣20±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分鐘，其中三氯乙烷每分鐘為80±1毫升，再通干氧120±1分鐘，溫度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工藝結束；

R、上隔離光刻:完成步驟Q的的具有氧化層的襯底硅片進行光刻，其步驟為：

①涂膠：光刻膠粘度為100±1cp，涂膠厚度為

②前烘：將涂膠后的襯底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分鐘；

③對位：在襯底硅片上設置掩膜版，將設置好的掩膜版的襯底硅片在光刻機的汞燈下曝光22±1秒，使掩膜版圖形成像到襯底硅片表面；

④顯影、定影：先用二甲苯顯影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；

⑤堅膜：將定影后的襯底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分鐘；

⑥氧化層腐蝕：將堅膜的襯底硅片用體積比為NH₄F：HF＝6：1的腐蝕液腐蝕10±1分鐘；

⑦去膠：將氧化層腐蝕后的襯底硅片用體積比為H₂SO₄：H₂O₂＝3：1浸泡液浸泡10±1分鐘去除光刻膠；

S、清洗：將完成步驟R的晶片放入體積比為HCl:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的清洗液在75±5℃清洗10分鐘，清洗后的襯底晶片沖水10±1分鐘，甩干后待用；

T、硼隔離預擴散：將完成步驟S的襯底硅片進行硼隔離預擴散工藝，首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口；在750±3℃通入氮氣，氮氣每分鐘6±1升，通氮氣時間30±1分鐘，溫度從750℃升至975℃，溫度保持在975℃±3℃；氮氣通入70±1分鐘后，溫度由975℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，測試方塊電阻15-20Ω/□，工藝結束；

U、硼隔離再擴散：將完成步驟T的襯底硅片進行硼隔離再擴散，首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口，在750±3℃通入氮氣，氮氣每分鐘6±1升，通氮氣時間30±1分鐘，溫度從750℃升至1200℃，溫度保持在1200℃±3℃；氮氣通入120±1分鐘后，溫度由1200℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工藝結束；

V、漂硼硅玻璃：將完成步驟U的晶片放入體積比為NH₄F：HF＝6：1液體中漂15±1分鐘；離子水溢流沖水10±1分鐘，甩干待用；

W、清洗：將完成步驟V的晶片放入體積比為HCl:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的清洗液在75±5℃清洗10分鐘，清洗后的襯底晶片沖水10±1分鐘，甩干后待用；

X、氧化：完成步驟W的襯底硅片進行初始氧化工藝，首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口；在750±3℃通入氮氣，氮氣每分鐘6±1升，通氮氣時間30±1分鐘，溫度從750℃升至1050℃，溫度保持在1050℃±3℃；停止通氮氣改通氧氣，通氧氣通入20±1分鐘后，改為通氧氣、氫氣進行氫氧合成，氫氧合成時間為40±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，氫氣通入速度為每分鐘6.5±1升；氫氧合成結束后再通入氧氣20±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分鐘，其中三氯乙烷每分鐘為80±1毫升；再通干氧120±1分鐘，溫度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工藝結束；

Y、N+光刻：完成步驟Q的的具有氧化層的襯底硅片進行光刻，其步驟為：

①涂膠：光刻膠粘度為100±1cp，涂膠厚度為

②前烘：將涂膠后的襯底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分鐘；

③對位：在襯底硅片上設置掩膜版，將設置好的掩膜版的襯底硅片在光刻機的汞燈下曝光22±1秒，使掩膜版圖形成像到襯底硅片表面；

④顯影、定影：先用二甲苯顯影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；

⑤堅膜：將定影后的襯底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分鐘；

⑥氧化層腐蝕：將堅膜的襯底硅片用體積比為NH₄F：HF＝6：1的腐蝕液腐蝕10±1分鐘；

⑦去膠：將氧化層腐蝕后的襯底硅片用體積比為H₂SO₄：H₂O₂＝3：1浸泡液浸泡10±1分鐘去除光刻膠；

Z、清洗：將完成步驟Y的晶片放入體積比為HCl:H₂O₂:H₂O＝1:1:5的清洗液在75±5℃清洗10分鐘，清洗后的襯底晶片沖水10±1分鐘，甩干后待用；

AA、磷預擴散：完成步驟Z的襯底硅片進行磷預擴散工藝，首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口；在750±3℃通入氮氣，氮氣每分鐘6±1升，通氮氣時間30±1分鐘，溫度從750℃升至1100℃，溫度保持在1100℃±3℃；氮氣通入3±1分鐘后，改為氮氣攜帶三氯氧磷，流量100-200mL/min，時間為30±1分鐘；停止通源，改通氮氣為通氧氣，氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，通入氧氣5±1分鐘，溫度由1100℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工藝結束；

BB、磷再擴散:完成步驟AA的襯底硅片進行磷預擴散工藝，首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口；在750±3℃通入氮氣，氮氣每分鐘6±1升，通氮氣時間30±1分鐘，溫度從750℃升至1050℃，溫度保持在1050℃±3℃；停止通氮氣改通氧氣，氧氣通入10±1分鐘后，改為通氧氣、氫氣進行氫氧合成，氫氧合成時間為60±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，氫氣通入速度為每分鐘6.5±1升；氫氧合成結束后再通入氧氣10±1分鐘，溫度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工藝結束；

CC、P+環光刻:完成步驟BB的襯底硅片進行P+環光刻工藝，其步驟為：

①涂膠：光刻膠粘度為100±1cp，涂膠厚度為

②前烘：將涂膠后的襯底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分鐘；

③對位：在襯底硅片上設置掩膜版，將設置好的掩膜版的襯底硅片在光刻機的汞燈下曝光22±1秒，使掩膜版圖形成像到襯底硅片表面；

④顯影、定影：先用二甲苯顯影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；

⑤堅膜：將定影后的襯底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分鐘；

⑥氧化層腐蝕：將堅膜的襯底硅片用體積比為NH₄F：HF＝6：1的腐蝕液腐蝕10±1分鐘；

⑦去膠：將氧化層腐蝕后的襯底硅片用體積比為H₂SO₄：H₂O₂＝3：1浸泡液浸泡10±1分鐘去除光刻膠；

DD、硼離子注入:完成步驟CC的襯底硅片進行硼離子注入工藝，其步驟為：

首先將硅片放入注入機大盤晶片卡槽，關上注入機大盤，開始抽低真空，低真空到50mTorr，設備轉入高真空，當真空度優于2*10^-6Torr，設備開始掃描注入；注入劑量：5×10¹⁴～3.5×10¹⁵cm^-2注入能量：50Kev；注入結束，真空室通氮氣待大盤打開，拉下大盤取片；

EE、退火：完成步驟DD的襯底硅片進行退火工藝，其步驟為：首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口；在700±3℃通入氮氣，氮氣每分鐘6±1升，通氮氣時間80±1分鐘，溫度從700℃升至1080℃，溫度保持在1080℃±3℃；停止通氮氣改通氧氣，氧氣通入20±1分鐘后，改為氧氣、氫氣進行氫氧合成，氫氧合成時間為60±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，氫氣通入速度為每分鐘6.5±1升；氫氧合成結束后再通入氧氣10±1分鐘，停止通氧氣，通質量分數3％HCl氣體30分鐘后，改通干氧30分鐘，然后溫度由1080℃降到700℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工藝結束；測試氧化層厚度

FF、引線孔光刻：完成步驟EE的襯底硅片進行引線孔光刻工藝，其步驟為：

①涂膠：光刻膠粘度為100±1cp，涂膠厚度為

②前烘：將涂膠后的襯底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分鐘；

③對位：在襯底硅片上設置掩膜版，將設置好的掩膜版的襯底硅片在光刻機的汞燈下曝光22±1秒，使掩膜版圖形成像到襯底硅片表面；

④顯影、定影：先用二甲苯顯影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；

⑤堅膜：將定影后的襯底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分鐘；

⑥氧化層腐蝕：將堅膜的襯底硅片用體積比為NH₄F：HF＝6：1的腐蝕液腐蝕10±1分鐘；

⑦去膠：將氧化層腐蝕后的襯底硅片用體積比為H₂SO₄：H₂O₂＝3：1浸泡液浸泡10±1分鐘去除光刻膠；

GG、清洗：完成步驟FF的襯底硅片進行清洗工藝，其步驟為：將裝晶片的花籃放入體積比為H₂SO₄:H₂O₂＝3:1的清洗液在135±5℃清洗10分鐘，清洗后的襯底晶片沖水10±1分鐘，甩干后待用；

HH、Ni勢壘金屬蒸發:完成步驟GG的襯底硅片進行Ni勢壘金屬蒸發工藝，其步驟為：

在行星架上安裝待蒸發晶片

a)裝片時，應先裝行星架內圈，再裝行星架外圈；

b)如果晶片是正面蒸發，帶圖形的一面朝上；如果晶片是背面蒸發，帶圖形的一面朝下；

c)使用鑷子，將行星架裝片位的卡簧掛在裝片位邊緣；

d)取出待蒸發的批次中的一片晶片，將硅片小心裝入行星架的裝片位；

e)將卡簧撥回，卡簧將會將晶片固定在裝片位上；

f)確認晶片安裝好后，順時針轉動行星架至下一個裝片位；

g)重復a-f直至第一個行星架裝滿晶片；

h)第一個行星架裝滿晶片后，取行星架手柄，對接行星架中心掛鉤；

i)上提確認手柄與行星架掛鉤對接無誤；

j)掛桿對準行星架支架定位孔平行插入，卡好卡銷；

k)重復以上動作對第二個行星架、第三個行星架進行裝片，直至所有待蒸發的晶片全部安裝；

l)行星架全部裝入真空室后，按“冶具回轉”鍵，確認行星架轉動、軸承旋轉自由并位于軌道的中心；

執行完裝片后關上密封門并扣上鎖扣，其操作步聚如下：

a)點擊觸摸屏上的“開始”鍵，觸摸屏上將顯示如下提示:

點擊“是”，系統將自動開始抽真空，在工藝運行記錄表記錄“自動開始抽氣時間”

b)低真空優于40Pa時在工藝運行記錄表上記錄時間，要求抽低真空時間小于等于4分鐘；

c)高真空達優于2×10^-4Pa，要求抽高真空時間小于等于20分鐘；

d)打開高壓；

e)所有金屬淀積完畢后，關高壓；取下晶片；

f)蒸發完最后一種金屬后，等待20分鐘，設備進入自動充氣；

g)顯示屏中顯示充氣完畢；

h)拉直真空室門上把手，將鎖扣打開；

i)拉開真空室密封門，并用右上角支架撐頂真空室門；

j)卸下行星架，把行星架放到裝卸臺行星架支架上，開始在行星架上取片；取片時先取外圈再取內圈

k)使用鑷子鉤起卡簧，掛在行星架裝片位邊緣，將硅片取下放入原傳遞片盒中，每取一片，逆時針轉動行星架一個片位，再取下一片硅片，直到行星架上的硅片全部取完

l)取完硅片后，將空的行星架裝回腔體；

m)重復完成第二個、第三個行星架的取片；

Ni勢壘方塊電阻：1.5-4Ω/□；

II、硅化物形成：完成步驟HH的襯底硅片進行硅化物形成工藝，其步驟為：首先將硅片放入石英舟，然后進舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進舟結束，蓋好磨口，在480±10℃通入氮氣和氧氣，氮氣每分鐘12±0.5升，氧氣每分鐘120毫升，時間為80分鐘，然后停止通氧，改通氮氣通入速度為每分鐘6±1升，出舟，舟速20±1cm/s，結束后取下磨口，在石英舟上取片，工藝結束；檢查晶片表面顏色為藍色為合格；

JJ、Ni硅化物腐蝕：完成步驟II的襯底硅片進行Ni硅化物腐蝕工藝，其步驟為：

腐蝕液配比：質量分數69％HNO₃:4±1升、質量分數38％HCl:6±1升，按比例將腐蝕液配比到酸槽中，溫度升到75±10℃，將晶片裝入特氟龍花籃，待酸槽溫度穩定在75±10℃，將裝有晶片的特氟龍花籃放入酸槽中煮5-20分鐘，取出特氟龍花籃在離子水中溢流沖水10-15分鐘，甩干待用；

KK、10：1清洗：完成步驟JJ的襯底硅片進行10：1清洗工藝，其步驟為：H₂O和NH₄F體積比為10：1清洗液配比到酸槽中，溫度室溫，將晶片裝入特氟龍花籃，將裝有晶片的特氟龍花籃放入酸槽中煮15-30秒，取出特氟龍花籃在離子水中溢流沖水10-15分鐘，甩干待用；

LL、正面金屬Al蒸發：完成步驟KK的襯底硅片進行正面金屬Al蒸發工藝，其步驟為：

在行星架上安裝待蒸發晶片

1.裝片時，應先裝行星架內圈，再裝行星架外圈

2.如果晶片是正面蒸發，帶圖形的一面朝上；如果晶片是背面蒸發，帶圖形的一面朝下

3.使用鑷子，將行星架裝片位的卡簧掛在裝片位邊緣

4.取出待蒸發的批次中的一片晶片，將硅片小心裝入行星架的裝片位

5.將卡簧撥回，卡簧將會將晶片固定在裝片位上

6.確認晶片安裝好后，順時針轉動行星架至下一個裝片位

7.重復1-6直至第一個行星架裝滿晶片

8.第一個行星架裝滿晶片后，取行星架手柄，對接行星架中心掛鉤

9.上提確認手柄與行星架掛鉤對接無誤

10.掛桿對準行星架支架定位孔平行插入，卡好卡銷

11.重復以上動作對第二個行星架、第三個行星架進行裝片，直至所有待蒸發的晶片全部安裝

12.行星架全部裝入真空室后，按“冶具回轉”鍵，確認行星架轉動、軸承旋轉自由并位于軌道的中心；

執行完裝片后關上密封門并扣上鎖扣，其Al蒸發操作步聚如下：

1.點擊觸摸屏上的“開始”鍵，觸摸屏上將顯示如下提示:

2.點擊“是”，系統將自動開始抽真空，在工藝運行記錄表記錄“自動開始抽氣時間”

3.低真空優于40Pa時在工藝運行記錄表上記錄時間，要求抽低真空時間小于等于4分鐘

4.高真空達優于2×10^-4Pa，要求抽高真空時間小于等于20分鐘

5.打開高壓；

6.Al金屬淀積完畢后，關高壓；

7.取下晶片

8.Al蒸發完后，等待20分鐘，設備進入自動充氣

9.顯示屏中顯示充氣完畢；

10.拉直真空室門上把手，將鎖扣打開

11.拉開真空室密封門，并用右上角支架撐頂真空室門

12.卸下行星架，把行星架放到裝卸臺行星架支架上，開始在行星架上取片

13.取片時先取外圈再取內圈

14.使用鑷子鉤起卡簧，掛在行星架裝片位邊緣，將硅片取下放入原傳遞片盒中，每取一片，逆時針轉動行星架一個片位，再取下一片硅片，直到行星架上的硅片全部取完

15.取完硅片后，將空的行星架裝回腔體

16.重復完成第二個、第三個行星架的取片

Al金屬方塊電阻：5-60mΩ/□

MM、金屬反刻：完成步驟LL的襯底硅片進行金屬反刻工藝，其步驟為：

①涂膠：光刻膠粘度為150±1cp，涂膠厚度為

②前烘：將涂膠后的襯底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分鐘；

③對位：在襯底硅片上設置掩膜版，將設置好的掩膜版的襯底硅片在光刻機的汞燈下曝光22±1秒，使掩膜版圖形成像到襯底硅片表面；

④顯影、定影：先用二甲苯顯影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；

⑤堅膜：將定影后的襯底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分鐘；

⑥金屬層AL腐蝕：將堅膜的襯底硅片用E6的腐蝕液腐蝕120-600秒；

確定腐蝕槽在45.5℃到49.5℃，工藝運行時壓力-80～-70psi，工藝運行時流量為3.5-15L/min；

⑦去膠：在去膠槽1：去膠時間10±1分鐘；

去膠槽2：去膠時間15±1分鐘；

丙酮：去膠時間10±1分鐘；

IPA：去膠時間10±1分鐘；

甲醇槽：去膠時間10±1分鐘；

離子水清洗去膠時間10±1分鐘，甩干。