[發明專利]改善光阻顯影均勻性的方法

在審

• 申請號: 202010166105.X
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN113391528A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 汪磊
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種改善光阻顯影均勻性的方法。所述改善光阻顯影均勻性的方法包括如下步驟：提供一基底，所述基底表面涂覆有光阻層，所述光阻層包括第一區域以及環繞所述第一區域外周分布的第二區域；傳輸顯影液至所述第二區域，對位于所述第二區域的所述光阻層進行顯影；傳輸顯影液至所述第一區域，對位于所述第一區域的所述光阻層進行顯影。本發明避免了顯影液自中心流向邊緣的過程中由于顯影能力降低導致的邊緣顯影不徹底的問題，確保了所述光阻層整體顯影的均勻性，避免了邊緣區域的光阻層殘留，確保了后續制程的順利進行，改善了半導體結構的性能。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種改善光阻顯影均勻性的方法。

背景技術

目前，半導體集成電路(IC)產業已經經歷了指數式增長。IC材料和設計中的技術進步已經產生了數代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更復雜的電路。在IC發展的過程中，功能密度(即每一芯片面積上互連器件的數量)已普遍增加，而幾何尺寸(即使用制造工藝可以產生的最小部件)卻已減小。除了IC部件變得更小和更復雜之外，在其上制造IC的晶圓變得越來越大，這就對晶圓的質量要求越來越高。

動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等半導體器件的制造工藝中，光刻是至關重要的步驟。在當前的顯影工藝中，對于涂覆于整個晶圓表面的光阻，顯影液是從與晶圓中心對應的位置噴灑，顯影液從晶圓中心流向邊緣的過程中，由于與光阻接觸，顯影活性不斷降低，這就使得處于晶圓中心位置的顯影液與處于晶圓邊緣位置的顯影液活性存在差異，即晶圓中心位置的顯影液的顯影能力大于晶圓邊緣位置的顯影液顯影能力。晶圓表面不同位置顯影液顯影能力的差異會引起顯影后晶圓表面光阻的殘留，即顯影不徹底，而顯影殘留會影響后續工藝的順利實施，導致最終形成的半導體結構的缺陷，嚴重時甚至是導致晶圓整體的報廢。

因此，如何提高晶圓表面顯影的均勻性，減少甚至是避免晶圓邊緣區域顯影后光阻的殘留，從而改善半導體結構的性能，是目前亟待解決的技術問題。

發明內容

本發明提供一種改善光阻顯影均勻性的方法，用于解決現有技術中光阻不同區域顯影不均勻、易出現顯影后光阻殘留的問題，從而優化半導體制程工藝，改善半導體結構的性能。

為了解決上述問題，本發明提供了一種改善光阻顯影均勻性的方法，包括如下步驟：

提供一基底，所述基底表面涂覆有光阻層，所述光阻層包括第一區域以及環繞所述第一區域外周分布的第二區域；

傳輸顯影液至所述第二區域，對位于所述第二區域的所述光阻層進行顯影；

傳輸顯影液至所述第一區域，對位于所述第一區域的所述光阻層進行顯影。

可選的，傳輸顯影液至所述第二區域之前，還包括如下步驟：

清洗所述第二區域。

可選的，還包括如下步驟：

提供一用于噴射顯影液的第一噴嘴；

控制所述第一噴嘴向所述第二區域噴射第二劑量的所述顯影液，對位于所述第二區域的所述光阻層進行顯影；

控制所述第一噴嘴向所述第一區域噴射第一劑量的所述顯影液，對位于所述第一區域的所述光阻層進行顯影，且所述第一劑量大于所述第二劑量。

可選的，所述第一噴嘴以第二流速向所述第二區域噴射所述顯影液、并持續第二時間；

所述第一噴嘴以第一流速向所述第一區域噴射所述顯影液、并持續第一時間，所述第一流速大于所述第二流速，且所述第一時間大于所述第二時間。

可選的，還包括如下步驟：

傳輸顯影液至所述第二區域的同時，驅動所述基底圍繞其軸線以第二轉速自轉；